[發明專利]靈敏放大器、存儲器和靈敏放大器的控制方法

有效

• 申請號: 202010811687.2
• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN111863054B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 彭春雨;葛駿林;何軍;應戰;李新;曹堪宇;盧文娟;藺智挺;吳秀龍;陳軍寧
• 申請（專利權）人: 安徽大學;長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C7/08
• 分類號: G11C7/08;G11C7/06
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種靈敏放大器，其特征在于，包括：

放大模塊；

控制模塊，與所述放大模塊電連接；

其中，在所述靈敏放大器的失調補償階段，所述控制模塊用于將所述放大模塊配置為包括二極管結構、電流鏡結構和反相器，所述反相器的輸入輸出相連；在所述靈敏放大器的第一放大階段，所述控制模塊用于將所述放大模塊配置為反相器。

2.根據權利要求1所述的靈敏放大器，其特征在于，所述放大模塊包括：

第一PMOS管；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的柵極通過第一節點與所述第一PMOS管的漏極連接；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的柵極與第一位線連接，所述第一NMOS管的漏極與所述第一節點連接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的柵極與第二位線連接，所述第二NMOS管的漏極通過第二節點與所述第二PMOS管的漏極連接；

其中，在所述靈敏放大器的失調補償階段，所述第二NMOS管被配置為二極管結構，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管被配置為電流鏡結構，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管被配置為輸入輸出相連的反相器。

3.根據權利要求2所述的靈敏放大器，其特征在于，所述控制模塊包括：

第一開關，所述第一開關的第一端與所述第一節點連接，所述第一開關的第二端與所述第一PMOS管的柵極連接；

第二開關，所述第二開關的第一端與所述第一開關的第二端連接，所述第二開關的第二端與所述第二節點連接；

第三開關，所述第三開關的第一端與所述第一節點連接，所述第三開關的第二端與所述第一位線連接；

第四開關，所述第四開關的第一端與所述第二位線連接，所述第四開關的第二端與所述第二節點連接；

其中，在所述靈敏放大器的失調補償階段，所述第一開關、第三開關、第四開關閉合，所述第二開關斷開。

4.根據權利要求3所述的靈敏放大器，其特征在于，在所述靈敏放大器的失調補償階段，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源極接收第一電壓，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源極接地。

5.根據權利要求4所述的靈敏放大器，其特征在于，在所述靈敏放大器的第一放大階段，所述第二PMOS管和所述第二NMOS管被控制為處于截止區，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管被配置為反相器。

6.根據權利要求5所述的靈敏放大器，其特征在于，所述控制模塊還包括：

第五開關，所述第五開關的第一端與所述第二節點連接，所述第五開關的第二端與所述第一位線連接；

第六開關，所述第六開關的第一端與所述第二位線連接，所述第六開關的第二端與所述第一節點連接；

其中，在所述靈敏放大器的失調補償階段，所述第五開關和所述第六開關斷開；在所述靈敏放大器的第一放大階段，所述第一開關、所述第三開關和所述第四開關斷開，所述第二開關、所述第五開關和所述第六開關閉合。

7.根據權利要求6所述的靈敏放大器，其特征在于，在所述靈敏放大器的第一放大階段，所述第一PMOS管的源極接收所述第一電壓，所述第一NMOS管的源極接地，所述第二PMOS管的源極和所述第二NMOS管的源極接收第二電壓；

其中，所述第二電壓小于所述第一電壓。

8.根據權利要求7所述的靈敏放大器，其特征在于，在所述靈敏放大器的第一放大階段之后的第二放大階段，所述控制模塊用于將所述放大模塊配置為交叉耦合放大結構。

9.根據權利要求8所述的靈敏放大器，其特征在于，在所述靈敏放大器的第二放大階段，所述第一開關、所述第三開關和所述第四開關斷開，所述第二開關、所述第五開關和所述第六開關閉合。

10.根據權利要求9所述的靈敏放大器，其特征在于，在所述靈敏放大器的第二放大階段，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源極接收所述第一電壓，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源極接地。