[發明專利]一種柔性二維TMDs光電探測器的制備方法

有效

• 申請號: 202010807246.5
• 申請日: 2020-08-12
• 公開（公告）號: CN112018215B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 堅佳瑩;白澤文;龍偉;常洪龍;堅增運
• 申請（專利權）人: 西安工業大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114
• 代理人: 黃秦芳

1.一種柔性二維TMDs光電探測器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1）、采用CVD法生長出二維TMDs薄膜；

2）、將生長有二維TMDs薄膜的襯底放置在加熱臺上預熱，加熱臺溫度設定50~80 ℃，預熱時間2~4 min；

3）、將PI溶液滴于生長襯底表面，將生長襯底放置在勻膠機上進行旋涂，勻膠機轉速設定為1000~2000 rpm，時間為10~40s；

4）、將步驟3）所得生長襯底放置在真空加熱臺中固化，真空加熱臺溫度設定為120~160℃，真空度10 pa，保溫時間10~20 min，生長襯底表面會形成棕黃色的PI固體薄膜；

5）、用鑷子將PI薄膜從生長襯底表面撕下，二維TMDs薄膜從生長襯底轉移到柔性PI薄膜上；

6）、采用真空熱蒸發鍍膜法，以銅網為掩膜版在粘貼有二維TMDs薄膜的柔性PI襯底上制備圖形化的金屬電極。

2.根據權利要求1所述的一種柔性二維TMDs光電探測器的制備方法，其特征在于：步驟6）中以銅網為硬質掩膜版，所用的銅網肋寬為20~30 μm，在顯微鏡下將銅網覆蓋在黏貼有TMDs薄膜的柔性PI襯底上，并用高溫膠帶將其四周緊貼于襯底表面，最后采用真空熱蒸發鍍膜工藝，在襯底表面依次蒸鍍10 nm厚的金屬Cr和50 nm厚的金屬Au。