[發明專利]一種陣列基板、陣列基板制程方法及顯示面板

有效

• 申請號: 202010806540.4
• 申請日: 2020-08-12
• 公開（公告）號: CN111987111B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 翟玉浩
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 劉泳麟

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括相對設置的第一面和第二面；

柵極，所述柵極部分覆蓋所述第一面；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設置在所述柵極遠離所述第一面的一側，且延伸至所述第一面；

種子層，所述種子層設置在所述柵極絕緣層遠離所述柵極的一側；

半導體層，所述半導體層部分覆蓋所述種子層遠離所述柵極絕緣層的一側，且所述半導體層遠離所述種子層的一側表面具有納米晶粒生長形成的凹凸形結構；所述半導體層包括：

結晶層，所述結晶層部分覆蓋所述種子層遠離所述柵極絕緣層的一側，且所述結晶層遠離所述種子層的一側表面具有納米晶粒生長形成的凹凸形結構；

導電層，所述導電層對應設置在所述結晶層遠離所述種子層的一側，且所述導電層具有凹凸形結構。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述結晶層的載流子濃度高于所述導電層的載流子濃度。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述結晶層的厚度為5nm至50nm。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述種子層采用的材料為金屬氧化物、金屬或合金中的任一種或多種組合，所述種子層的厚度為5nm。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：源極和漏極，所述源極和漏極設置在所述種子層未被所述半導體層覆蓋的區域，且所述源極和漏極分別設置于所述半導體層垂直于所述第一面的兩側。

6.一種陣列基板制程方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板包括相對設置的第一面和第二面；

在所述第一面設置柵極，所述柵極部分覆蓋所述第一面；

在所述柵極遠離所述第一面的一側設置柵極絕緣層，且所述柵極絕緣層延伸至所述第一面；

在所述柵極絕緣層遠離所述柵極的一側設置種子層；

在所述種子層遠離所述柵極絕緣層的一側設置結晶層，且所述結晶層通過形成晶粒在遠離所述種子層的一側表面生長凹凸形結構；

在所述結晶層遠離所述種子層的一側設置導電層，且所述導電層具有凹凸形結構；

對所述結晶層和所述導電層進行蝕刻，以使所述結晶層和所述導電層部分覆蓋所述種子層得到半導體層。

7.根據權利要求6所述的陣列基板制程方法，其特征在于，采用原子層沉積技術、化學氣相沉積技術、溶膠凝膠法或濺射的方法在所述種子層遠離所述柵極絕緣層的一側設置所述結晶層。

8.一種顯示面板，其特征在于，包括陣列基板，所述陣列基板為權利要求1至5中任一項所述的陣列基板。