[發明專利]掩膜板裝置、顯示器、曝光機有效
| 申請號: | 202010805000.4 | 申請日: | 2020-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN111983889B | 公開(公告)日: | 2023-02-03 |
| 發明(設計)人: | 鄧帆 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/42 | 分類號: | G03F1/42 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 劉泳麟 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 裝置 顯示器 曝光 | ||
本申請公開了一種掩膜板裝置、顯示器、曝光機。掩膜板裝置包括掩膜板、擋板、至少一刻度尺以及至少一遮光帶;刻度尺設于相鄰兩個曝光區域之間,用于確認首次曝光時擋板遮擋掩膜板的位置;遮光帶呈矩形長條,設于掩膜板上且位于刻度尺的一側,用于機臺自動識別第二次及第二次以后曝光時擋板遮擋掩膜板的位置。本申請通過在現有擋板位置監控標志旁增加一個矩形條狀遮光帶,其不必保留遮光帶要保護的圖形,即可實現機臺自動識別第二次及第二次以后曝光時擋板遮擋掩膜板的位置,從而提高識別精度,減少識別誤差,并能提高生產效率。
技術領域
本申請涉及顯示面板制作技術領域,尤其涉及掩膜板裝置、顯示器、曝光機。
背景技術
使用掩膜板(mask)在玻璃基板上制作圖形時,由于每一次曝光不需要用到掩膜板所有區域,因此要使用擋板對掩膜板上下左右的非曝光區域進行遮擋。在產線實際生產時,會在四方擋板設定位置分別擺放擋板位置監控標志(Mask blade accuracy verniermark,MB mark),來監控擋板位置精度。
圖1為目前業內使用的擋板位置監控標志的平面結構示意圖,如圖1所示,擋板位置監控標志90為帶有刻度條狀的標識,包括間隔設置的第一金屬層標識91、第二金屬層標識92、過孔標識93、氧化銦錫層標識94,用于分別形成陣列基板上的柵極、源漏極、走線過孔、陽極等結構。其使用方式是通過拍照,人眼讀取照片中擋板所在位置的刻度,但是人眼識別精度低,識別誤差高。
發明內容
本申請實施例提供一種掩膜板裝置、顯示器、曝光機,可以解決現有擋板位置監控標志需要全程人眼讀取曝光時擋板所在位置的刻度,而人眼識別精度低、識別誤差高的技術問題。
本申請實施例提供一種掩膜板裝置,包括掩膜板、擋板、至少一刻度尺以及至少一遮光帶;所述掩膜板內設置有若干曝光區域;所述擋板環繞所述掩膜板設置,并用于遮擋所述掩膜板的非曝光區域;所述刻度尺設于相鄰兩個所述曝光區域之間,用于確認首次曝光時所述擋板遮擋所述掩膜板的位置;所述遮光帶呈矩形長條,設于所述掩膜板上且位于所述刻度尺的一側,用于機臺自動識別第二次及第二次以后曝光時所述擋板遮擋所述掩膜板的位置。其中所述遮光帶為在所述掩膜板上只保留矩形長條的遮光帶,而不保留原有圖形。
在使用時,機臺用于根據所述遮光帶端部與第一次曝光后曝光區的邊緣位置識別非曝光區域內未被曝光的區域長度值,從而根據所述遮光帶端部與該邊緣位置距離自動識別第二次及第二次以后曝光時所述擋板遮擋所述掩膜板的位置。
進一步地,相鄰兩個所述曝光區域之間相互重疊形成一重疊曝光區,所述遮光帶位于所述重疊曝光區內。在連續兩次對所述重疊曝光區曝光過程中,遮光帶保護一次光阻,擋板擋光部分保護一次光阻,則最終玻璃基板上擋板外圖形在后續蝕刻時被洗掉,而擋板下方圖形留存,然后機臺自動讀取留存的圖形尺寸,即是擋板的位置精度。
進一步地,所述遮光帶設置于所述曝光區域的四角位置。
進一步地,所述遮光帶的材質包括不透光金屬,所述不透光金屬包括鉻。
進一步地,所述遮光帶包括間隔設置的第一金屬層標識、第二金屬層標識、過孔標識以及氧化銦錫層標識。
進一步地,所述第一金屬層標識、所述第二金屬層標識、所述過孔標識以及所述氧化銦錫層標識之間等距離間隔設置,間隔的距離為50um-100um。
進一步地,所述第一金屬層標識、所述第二金屬層標識、所述過孔標識以及所述氧化銦錫層標識的長度相同,其長度均為5000um-10000um;所述第一金屬層標識的寬度范圍為30um-60um;所述第二金屬層標識的寬度范圍為70um-90um;所述過孔標識的寬度范圍為110um-130um;所述氧化銦錫層標識的寬度范圍為140um-160um。
進一步地,所述刻度尺的中心設置為零點,向兩端延伸均勻設置有相同的刻度值;所述刻度尺的刻度值為毫米級或微米級。所述刻度尺的長度大于所述曝光區域邊長的長度。
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G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





