[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010804705.4 | 申請日: | 2020-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN112542487A | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李駿熙;裵寅浚 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;
子像素,在所述顯示區(qū)域中;以及
像素限定層,限定所述子像素的區(qū)域,
所述子像素包括:
在所述顯示區(qū)域中被布置成與所述非顯示區(qū)域鄰近的鄰近子像素;以及
被布置在所述顯示區(qū)域中的內(nèi)部子像素,
其中,
所述鄰近子像素和所述內(nèi)部子像素實現(xiàn)同一顏色并且在平面圖中具有不同的形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述像素限定層被布置在所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,并且
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素發(fā)射不同顏色的光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,所述第一子像素具有正方形形狀,
所述第二子像素被布置成面對所述第一子像素的第一邊和第二邊,并且
所述第三子像素被布置成面對所述第一子像素的所述第一邊和所述第二邊并且與所述第二子像素隔開。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,在所述平面圖中,所述第一子像素具有大于所述第二子像素的大小和所述第三子像素的大小中的至少一個的大小。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,所述子像素進一步包括多個第一子像素,
其中所述多個第一子像素在第一方向上被布置,并且
所述第二子像素的長邊或所述第三子像素的長邊限定相對于將在所述第一方向上布置的所述多個第一子像素的中心連接的任意線的45度的角度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,進一步包括:從所述像素限定層突出的間隔物。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述像素限定層包括黑色材料或具有1的光密度的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,在所述平面圖中,所述鄰近子像素具有與所述內(nèi)部子像素的大小相同的大小。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,在所述平面圖中,所述鄰近子像素具有與所述內(nèi)部子像素的大小相同的大小,
所述鄰近子像素和所述內(nèi)部子像素分別被布置成鄰近并面對同一中心子像素,并且
從所述鄰近子像素的邊界到所述中心子像素的邊界的最短距離與從所述內(nèi)部子像素的邊界到所述中心子像素的邊界的最短距離不同。
11.一種顯示裝置,包括:
顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;
多個子像素,在所述顯示區(qū)域中;以及
像素限定層,在所述像素限定層中,多個開口限定所述多個子像素的區(qū)域,
其中所述多個開口包括在所述顯示區(qū)域中被布置成與所述非顯示區(qū)域鄰近的鄰近開口和被布置在所述顯示區(qū)域中的內(nèi)部開口,并且
各自限定實現(xiàn)同一顏色的所述多個子像素的區(qū)域的所述鄰近開口和所述內(nèi)部開口在平面圖中具有不同的形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置,其中,所述像素限定層被布置在所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域中。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置,其中,所述多個開口包括第一開口、第二開口和第三開口,
所述第一開口具有正方形形狀,
所述第二開口被布置成面對所述第一開口的第一邊和第二邊兩者,并且
所述第三開口被布置成面對所述第一開口的所述第一邊和所述第二邊兩者,并且與所述第二開口隔開。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





