[發明專利]非晶硅轉印靶材的重復利用方法

在審

• 申請號: 202010804334.X
• 申請日: 2020-08-12
• 公開（公告）號: CN111900233A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 沈夢超;符黎明
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種非晶硅轉印靶材的重復利用方法，非晶硅轉印靶材經非晶硅轉印工藝使用后，先將載板表面殘留的非晶硅清除掉，再通過低壓化學氣相沉積工藝在載板表面沉積非晶硅層。本發明能對經非晶硅轉印工藝使用后的非晶硅轉印靶材進行重復利用。

技術領域

本發明涉及非晶硅轉印靶材的重復利用方法。

背景技術

在半導體及光伏行業，局部非晶硅沉積技術有著重要的應用價值，例如半導體行業中制作集成電路，光伏行業的太陽電池制作中制作局部發射極等。

非晶硅轉印工藝是一種簡潔高效的局部非晶硅沉積工藝，該工藝采用表面預先沉積非晶硅層的石英載板作為非晶硅轉印靶材，將靶材置于待沉積非晶硅的半導體器件附近，靶材上的非晶硅層朝向器件，使用激光照射靶材的特定區域，靶材上位于該特定區域的非晶硅吸收激光能量后蒸發，蒸發的非晶硅脫離靶材表面并按照特定路徑轉移至器件表面，可以實現半導體器件的局部非晶硅沉積。

非晶硅轉印靶材是非晶硅轉印工藝中必不可少的耗材，經非晶硅轉印工藝使用過的非晶硅轉印靶材不能直接重復利用，若直接重復利用，會影響非晶硅轉印的效果。目前靶材的消耗在非晶硅轉印工藝的實施中占有較高的成本，故需要設計一種使非晶硅轉印靶材可以重復利用的方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種非晶硅轉印靶材的重復利用方法，其能對經非晶硅轉印工藝使用后的非晶硅轉印靶材進行重復利用。

為實現上述目的，本發明的技術方案是設計一種非晶硅轉印靶材的重復利用方法，非晶硅轉印靶材經非晶硅轉印工藝使用后，先將載板（即石英載板）表面殘留的非晶硅清除掉，再通過低壓化學氣相沉積工藝在載板表面沉積非晶硅層。

優選的，通過激光掃描將載板表面殘留的非晶硅清除掉。

優選的，所述通過激光掃描將載板表面殘留的非晶硅清除掉，包括如下具體步驟：將載板至于激光裝置臺面上方，使載板有非晶硅殘留的一面朝下，且使載板高于臺面1～2cm，防止蒸發的非晶硅再次附著在載板表面；使用激光整面掃描載板，殘留的非晶硅吸收激光能量后蒸發掉。

優選的，所述激光裝置為非晶硅轉印工藝所用的激光裝置。

優選的，所述激光能量不低于非晶硅轉印工藝所用激光能量，保證對非晶硅殘留的去除效果。

激光整面掃描后載板表面的非晶硅殘留被完全去除，且石英載板不被激光損傷被完整保留，石英載板可進行循環使用。

優選的，通過清洗將載板表面殘留的非晶硅清除掉。

優選的，所述通過清洗將載板表面殘留的非晶硅清除掉，包括如下具體步驟：先采用堿溶液對載板進行清洗，堿溶液為1～15wt%的NaOH或KOH溶液，溶液溫度為40～85℃，清洗時間為10～180min；再采用鹽酸和雙氧水的混合溶液對載板進行清洗，鹽酸的質量濃度為5%～20%，雙氧水的質量濃度為5%～20%，溶液溫度為40～85℃，清洗時間為3～20min。

優選的，清洗完成后將載板甩干或氮氣吹干。

清洗后載板表面的非晶硅殘留被完全去除，且石英載板由于不參與反應被完整保留，石英載板可進行循環使用。

優選的，所述通過低壓化學氣相沉積工藝在載板表面沉積非晶硅層，包括如下具體步驟：將清洗后的載板置入LPCVD設備進行非晶硅沉積，載板兩兩背靠背放置，非晶硅沉積溫度為200～500℃，SiH₄流量為200～3000sccm，H₂流量為0～3000sccm，沉積時間為10～120min。非晶硅沉積完成后，載板相貼的一面會因繞鍍現象出現非晶硅繞鍍。

優選的，所述通過低壓化學氣相沉積工藝在載板表面沉積非晶硅層，包括如下具體步驟：將載板以獨立間隔的方式放入LPCVD設備中沉積非晶硅，使載板兩面沉積相同厚度的非晶硅。