[發(fā)明專利]智能半導(dǎo)體開關(guān)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010802044.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112398086A | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | C·德耶拉希-切克;U·L·利洛;M·盧欣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02H5/04 | 分類號(hào): | H02H5/04;H03K17/082 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 張昊 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 智能 半導(dǎo)體 開關(guān) | ||
1.一種集成電路,包括:
第一功率晶體管(2.1),耦合在電源引腳(SUP)和第一輸出引腳(OUT1)之間;
第二功率晶體管(2.2),耦合在所述電源引腳(SUP)和第二輸出引腳(OUT2)之間,所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管(2.1、2.2)均具有允許反向傳導(dǎo)的本征體二極管;
控制電路(3),被配置為分別基于第一輸入信號(hào)(SIN1)和第二輸入信號(hào)(SIN2)觸發(fā)所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管(2.1、2.2)的導(dǎo)通和截止;以及
保護(hù)電路,被配置為針對(duì)所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管(2.1、2.2)檢測(cè)從反向傳導(dǎo)狀態(tài)到正向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換或者從正向傳導(dǎo)狀態(tài)到反向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換,并且在檢測(cè)到所述第二功率晶體管(2.2)從反向傳導(dǎo)狀態(tài)到正向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換以及所述第一功率晶體管(2.1)從正向傳導(dǎo)狀態(tài)到反向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換時(shí)生成錯(cuò)誤信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,
其中所述保護(hù)電路被配置為在檢測(cè)到所述第二功率晶體管(2.2)從反向傳導(dǎo)狀態(tài)到正向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換以及后面緊隨的所述第一功率晶體管(2.1)從正向傳導(dǎo)狀態(tài)到反向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換時(shí)生成所述錯(cuò)誤信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路,還包括:
電流感測(cè)電路,被配置為生成第一電流感測(cè)信號(hào)(iS1)和第二電流感測(cè)信號(hào)(iS2),所述第一電流感測(cè)信號(hào)(iS1)表示通過處于正向傳導(dǎo)狀態(tài)的所述第一功率晶體管(2.1)的負(fù)載電流,所述第二電流感測(cè)信號(hào)(iS2)表示通過處于正向傳導(dǎo)狀態(tài)的所述第二功率晶體管(2.2)的負(fù)載電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路,
其中當(dāng)所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管(2.1、2.2)分別處于反向傳導(dǎo)狀態(tài)時(shí),所述第一電流感測(cè)信號(hào)和所述第二電流感測(cè)信號(hào)(iS1、iS2)為零。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的集成電路,
其中所述保護(hù)電路被配置為:分別基于所述第一電流感測(cè)信號(hào)和所述第二電流感測(cè)信號(hào)(iS1、iS2),針對(duì)所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管(2.1、2.2)檢測(cè)從所述反向傳導(dǎo)狀態(tài)到所述正向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換以及從所述正向傳導(dǎo)狀態(tài)到所述反向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的集成電路,
其中所述保護(hù)電路被配置為:分別基于所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管(2.1、2.2)的跨負(fù)載電流路徑的壓降,針對(duì)所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管(2.1、2.2)檢測(cè)從所述反向傳導(dǎo)狀態(tài)到所述正向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換以及從所述正向傳導(dǎo)狀態(tài)到所述反向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的集成電路,
其中所述控制電路(3)被配置為響應(yīng)于所述錯(cuò)誤信號(hào)觸發(fā)所述第二功率晶體管(2.2)或者所述第一功率晶體管與所述第二功率晶體管兩者(2.1、2.2)的截止。
8.一種方法,包括:
基于輸入信號(hào)(SIN1)導(dǎo)通背靠背連接的第一功率晶體管(2.1)和第二功率晶體管(2.2),所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管(2.1、2.2)均具有允許反向傳導(dǎo)的本征體二極管;
向連接至所述第二功率晶體管(2.2)的負(fù)載提供負(fù)載電流;
當(dāng)檢測(cè)到所述第二功率晶體管(2.2)從反向傳導(dǎo)狀態(tài)到正向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換以及所述第一功率晶體管(2.1)從正向傳導(dǎo)狀態(tài)到反向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換時(shí)生成錯(cuò)誤信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,
其中在檢測(cè)到所述第二功率晶體管(2.2)從反向傳導(dǎo)狀態(tài)到正向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換以及后面緊隨的所述第一功率晶體管(2.1)從正向傳導(dǎo)狀態(tài)到反向傳導(dǎo)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換時(shí)生成所述錯(cuò)誤信號(hào)。
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