[發(fā)明專利]一種基于MoOx

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010801996.1
• 申請日: 2020-08-11
• 公開（公告）號: CN111697150A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杜祖亮;蔣曉紅;王安珍
• 申請（專利權(quán)）人: 河南大學(xué)
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/00;H01L51/56
• 代理公司: 鄭州聯(lián)科專利事務(wù)所(普通合伙) 41104
• 代理人: 張麗

1.一種基于MoO_x空穴注入層的QLED器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）清洗并預(yù)處理ITO玻璃基底電極；

（2）在ITO玻璃基底電極上旋涂混合空穴注入層，所述混合空穴注入層的材料為MoO_x或MoO_x-PEDOT:PSS；

（3）在混合空穴注入層上旋涂空穴傳輸層；所述的空穴傳輸層材料為PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一種或幾種；

（4）在空穴傳輸層上旋涂量子點發(fā)光層，所述量子點發(fā)光層的材料為ZnCdSeS/ZnS綠光量子點；

（5）在量子點發(fā)光層上旋涂電子傳輸層ZnO；

（6）在電子傳輸層ZnO上蒸鍍頂電極，待器件蒸鍍完成后，對其進(jìn)行封裝即可，所述頂電極為Al、Ag、Cu、Au或合金電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中MoO_x層的旋涂方法為吸取80μL的MoO_x前驅(qū)體溶液，旋涂40-45 s，成膜后退火，冷卻至室溫后，再進(jìn)行UV-O₃處理5-10min；步驟（2）中PEDOT:PSS 層的旋涂方法為吸取100 μL的PEDOT:PSS在5000 rpm/min條件下旋涂40-45 s，成膜后在120-130℃條件下退火10-15 min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，MoO_x前驅(qū)體溶液制備步驟為：將質(zhì)量分?jǐn)?shù)5-10%的鉬酸銨水溶液在空氣中加熱至80-90℃攪拌1-2h，即得，所得到的MoO_x前驅(qū)體溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5-8%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中MoO_x層旋涂時的轉(zhuǎn)速為4000-7000 rpm/min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中MoO_x層的旋涂后的退火溫度為100-170℃；退火時間為0-15min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）中空穴傳輸層的旋涂方法為吸取60 μL空穴傳輸層材料溶液，在2800-3200 rpm/min條件下旋涂25-35 s，并放置在退火板上在120-150℃條件下退火25-30 min；所述空穴傳輸層材料溶液的濃度為8 mg/mL。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（4）中綠光量子點溶液是通過將粒徑為8-10 nm的ZnCdSeS/ZnS綠光量子點溶解于正辛烷，制備成濃度為18 mg/mL的溶液。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（5）中電子傳輸層ZnO是在量子點發(fā)光層上旋涂ZnO溶液得到的，所述ZnO溶液為通過將粒徑為3-4 nm的ZnO溶解于乙醇中，制得濃度為30 mg/mL的ZnO溶液。

9.權(quán)利要求1至8任一所述方法制備的基于MoO_x空穴注入層的QLED器件。