[發明專利]顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 202010801636.1 | 申請日: | 2020-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN112002741B | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發明(設計)人: | 王敏 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 劉泳麟 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟A:形成支撐組件,所述支撐組件包括第一非晶硅層;
步驟B:在所述支撐組件上形成發光器件,所述發光器件包括藍色發光層和陰極層;其中
形成所述發光器件的步驟包括:
在所述支撐組件上形成基板層,所述基板層包括依次層疊設置的第一柔性襯底層、第一無機層、第二非晶硅層、第二柔性襯底層、第三柔性襯底層和第二無機層;
步驟C:將帶有色彩轉換層的模版轉印至所述陰極層,所述色彩轉換層包括綠色量子點膜圖案和紅色量子點膜圖案,所述紅色量子點膜圖案和所述綠色量子點膜圖案在所述陰極層上間隔排列,且所述紅色量子點膜圖案和所述綠色量子點膜圖案分別與所述藍色發光層一一對應;
步驟D:在所述色彩轉換層上形成無機保護層;
步驟E:在所述無機保護層上設置第一阻隔復合膜層;
步驟F:利用激光照射所述第一非晶硅層,使得所述第一非晶硅層與所述發光器件的第一表面分離;
步驟G:將第二阻隔復合膜層的第一表面和所述發光器件的第一表面貼合,以形成顯示面板。
2.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述第一阻隔復合膜層至少包括層疊設置的第一粘著層、第一水氧阻隔層和第一支撐膜層;以及
所述第二阻隔復合膜層至少包括層疊設置的第二粘著層、第二水氧阻隔層和第二支撐膜層。
3.根據權利要求2所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述步驟E包括:
利用滾輪或真空壓合的方式將所述第一阻隔復合膜層貼合設置在所述無機保護層上,其中,所述第一粘著層貼合所述無機保護層。
4.根據權利要求3所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述步驟G包括:
利用滾輪或真空壓合的方式將所述第二阻隔復合膜層貼合設置在所述發光器件的第一表面,其中,所述第二粘著層貼合所述發光器件的第一表面。
5.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述發光器件還包括薄膜晶體管陣列基板和發光功能層,所述步驟B包括:
步驟b11:形成薄膜晶體管陣列基板,所述薄膜晶體管陣列基板包括多個陣列排布的薄膜晶體管;
步驟b12:在所述薄膜晶體管陣列基板上形成發光功能層,所述發光功能層包括像素定義層、陽極層、所述藍色發光層和所述陰極層。
6.一種顯示面板,其特征在于,包括:
發光器件,所述發光器件包括基板層、薄膜晶體管陣列基板、藍色發光層和陰極層,所述基板層包括依次層疊設置的第一柔性襯底層、第一無機層、第二非晶硅層、第二柔性襯底層、第三柔性襯底層、第二無機層;
色彩轉換層,所述色彩轉換層通過轉印技術將帶有所述色彩轉換層的模版轉印至所述陰極層上形成的,所述色彩轉換層包括綠色量子點膜圖案和紅色量子點膜圖案,所述紅色量子點膜圖案和所述綠色量子點膜圖案在所述陰極層上間隔排列,且所述紅色量子點膜圖案和所述綠色量子點膜圖案分別與所述藍色發光層一一對應;
無機保護層,所述無機保護層覆蓋所述色彩轉換層及所述陰極層;
第一阻隔復合膜層,所述第一阻隔復合膜層貼合設置在所述無機保護層上;
第二阻隔復合膜層,所述第二阻隔復合膜層貼合設置在所述發光器件遠離所述色彩轉換層的一面。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第一阻隔復合膜層通過滾輪或真空壓合的方式貼合設置在所述無機保護層上;以及
所述第二阻隔復合膜層通過滾輪或真空壓合的方式貼合設置在所述發光器件遠離所述色彩轉換層的一面。
8.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第一阻隔復合膜層至少包括層疊設置的第一粘著層、第一水氧阻隔層和第一支撐膜層;以及
所述第二阻隔復合膜層至少包括層疊設置的第二粘著層、第二水氧阻隔層和第二支撐膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





