[發明專利]一種三維存儲器結構及其制作方法和三維存儲器件在審
| 申請號: | 202010801515.7 | 申請日: | 2020-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN112054028A | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發明(設計)人: | 張坤;周文犀 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/11519 | 分類號: | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 高園園 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 三維 存儲器 結構 及其 制作方法 存儲 器件 | ||
1.一種三維存儲器結構,其特征在于,所述三維存儲器結構包括:
襯底;
堆疊結構,形成于所述襯底上,所述堆疊結構具有沿第一方向依次設置的第一分區和第二分區;
其中,所述第一分區包括沿第二方向依次設置的第一核心陣列區域和第一臺階區域,且所述第一臺階區域位于所述第一分區的邊緣,所述第二分區包括沿所述第一方向依次設置的第二核心陣列區域和第二臺階區域,且所述第二臺階區域位于所述第二分區的邊緣,所述第一方向與所述第二方向相交。
2.根據權利要求1所述的三維存儲器結構,其特征在于,所述三維存儲器結構還包括分別設置于所述第一分區和所述第二分區中的若干柵極隔槽;其中,位于所述第一分區的所述柵極隔槽沿所述第一方向間隔設置,位于所述第二分區中的所述柵極隔槽沿所述第二方向間隔設置。
3.根據權利要求1所述的三維存儲器結構,其特征在于,所述第一臺階區域中設置有沿第一方向間隔設置的若干柵極墻結構,所述柵極墻結構和所述堆疊結構的堆疊順序和層數相同。
4.根據權利要求1所述的三維存儲器結構,其特征在于,所述第二臺階區域中設置有沿第二方向間隔設置的若干柵極墻結構,所述柵極墻結構和所述堆疊結構的堆疊順序和層數相同。
5.根據權利要求1所述的三維存儲器結構,其特征在于,所述堆疊結構還具有分別與所述第一分區和所述第二分區同一側鄰接的第三分區和第四分區,且所述第三分區和所述第四分區鄰接;其中,所述第三分區包括沿第一方向依次設置的第三核心陣列區域和第三臺階區域,且所述第三臺階區域位于所述第三分區的邊緣,所述第四分區包括沿所述第二方向依次設置的第四核心陣列區域和第四臺階區域,且所述第四臺階區域位于所述第四分區的邊緣。
6.根據權利要求5所述的三維存儲器結構,其特征在于,所述第三臺階區域中設置有沿第一方向間隔設置的若干柵極墻結構,所述柵極墻結構和所述堆疊結構的堆疊順序和層數相同。
7.根據權利要求5所述的三維存儲器結構,其特征在于,所述第四臺階區域中設置有沿第二方向間隔設置的若干柵極墻結構,所述柵極墻結構和所述堆疊結構的堆疊順序和層數相同。
8.根據權利要求5所述的三維存儲器結構,其特征在于,所述三維存儲器結構還包括分別設置于所述第三分區和所述第四分區中的柵極隔槽;其中,位于所述第三分區的所述柵極隔槽沿所述第二方向間隔設置,位于所述第四分區中的所述柵極隔槽沿所述第一方向間隔設置。
9.根據權利要求5所述的三維存儲器結構,其特征在于,所述第一臺階區域設置于所述第一分區的靠近所述第三分區的一側;所述第二臺階區域設置于所述第二分區的靠近所述第一分區的一側;所述第三臺階區域設置于所述第三分區的靠近所述第四分區的一側;所述第四臺階區域設置于所述第四分區的靠近所述第二分區的一側。
10.根據權利要求5所述的三維存儲器結構,其特征在于,所述第一臺階區域設置于所述第一分區的遠離所述第三分區的一側;所述第二臺階區域設置于所述第二分區的遠離所述第一分區的一側;所述第三臺階區域設置于所述第三分區的遠離所述第四分區的一側;所述第四臺階區域設置于所述第四分區的遠離所述第二分區的一側。
11.根據權利要求5所述的三維存儲器結構,其特征在于,所述第一分區-第四分區分別具有垂直于所述堆疊結構的堆疊方向的正方形截面,且各分區的正方形截面面積相等。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





