[發(fā)明專利]高壓大驅(qū)動高電源抑制比LDO

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010801443.6
• 申請日: 2020-08-11
• 公開（公告）號: CN111813175A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 胡錦通
• 申請（專利權）人: 英彼森半導體（珠海）有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 張利明

1.一種高壓大驅(qū)動高電源抑制比LDO，其特征在于，包括共源共柵阻性源退化電路(100)和動態(tài)補償電路(200)，

所述共源共柵阻性源退化電路(100)采用NMOS差分對管輸入，獲得低壓差固定一級輸出電壓；

動態(tài)補償電路(200)對所述一級輸出電壓采用動態(tài)零點補償以及動態(tài)偏置的方式，獲得最終輸出電壓。

2.根據(jù)權利要求1所述的高壓大驅(qū)動高電源抑制比LDO，其特征在于，所述共源共柵阻性源退化電路(100)包括MOS管Mn0、MOS管Mn1、MOS管Mn2、MOS管Mn3、MOS管Mp0、MOS管Mp1、電阻R0、電阻R2、電阻R3和電流源，

所述MOS管Mn0和MOS管Mn1的源極共同連接電流源的一端，電流源的另一端接地；

MOS管Mn0的柵極連接一級輸出電壓連接端VREF，漏極與低壓電源之間連接電阻R0；MOS管Mn1的漏極與低壓電源之間連接電阻R1；

MOS管Mn0的漏極連接MOS管Mp0的源極，MOS管Mp0的漏極連接MOS管Mn2的漏極，MOS管Mn2的源極與接地點之間連接電阻R2；MOS管Mn2的漏極連接柵極；

MOS管Mp0的柵極連接MOS管Mp1的柵極，MOS管Mp1的源極連接MOS管Mn1的漏極，MOS管Mp1的漏極連接MOS管Mn3的漏極，MOS管Mn3的柵極連接MOS管Mn2的柵極，MOS管Mn3的源極與接地點之間連接電阻R3；

所述MOS管Mn3的漏極作為一級輸出電壓連接端VREF。

3.根據(jù)權利要求2所述的高壓大驅(qū)動高電源抑制比LDO，其特征在于，所述共源共柵阻性源退化電路(100)還包括MOS管Mn5和電容C0，

MOS管Mn3的漏極連接MOS管Mn5的柵極，MOS管Mn5的源極接地，漏極與柵極之間連接電容C0。

4.根據(jù)權利要求3所述的高壓大驅(qū)動高電源抑制比LDO，其特征在于，

所述動態(tài)補償電路(200)包括MOS管Mn4、MOS管Mn6、MOS管Mp2、MOS管Mp3、MOS管PMOSFET、電阻R4、電阻R5和電容C1，

MOS管Mn5的柵極連接MOS管Mn4的柵極，MOS管Mn4的源極接地，漏極連接MOS管Mn6的源極，MOS管Mn6的柵極連接固定偏置電壓，MOS管Mn6的漏極連接電阻R4的一端，電阻R4的另一端連接高壓電源；MOS管Mn6的漏極連接MOS管Mp2的柵極，MOS管Mp2的柵極連接漏極，MOS管Mp2的源極連接電阻R5的一端，電阻R5的另一端連接高壓電源，電阻R5的另一端與MOS管Mn4的漏極之間連接電容C1；MOS管Mp2的柵極連接MOS管Mp3的柵極，MOS管Mp3的柵極連接漏極，MOS管Mp3的源連接高壓電源；MOS管Mp3的柵極連接MOS管PMOSFET的柵極，MOS管PMOSFET的源極連接高壓電源，漏極作為中間電壓輸出端。

5.根據(jù)權利要求4所述的高壓大驅(qū)動高電源抑制比LDO，其特征在于，

所述動態(tài)補償電路(200)還包括片外電阻R_EXT0、片外電阻R_EXT1和片外電容C_L，

MOS管PMOSFET的漏極與接地點之間依次串聯(lián)片外電阻R_EXT1和片外電阻R_EXT0，片外電容C_L與片外電阻R_EXT1和片外電阻R_EXT0并聯(lián)；

片外電阻R_EXT1和片外電阻R_EXT0之間的引出線作為連接端VFB，所述連接端VFB連接MOS管Mn1的柵極。