[發明專利]ZnMgO紫外探測器及其制備方法在審
| 申請號: | 202010800909.0 | 申請日: | 2020-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN111785793A | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 劉可為;侯其超;申德振;陳星;張振中;李炳輝 | 申請(專利權)人: | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號: | H01L31/0296 | 分類號: | H01L31/0296;H01L31/108;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 曹衛良 |
| 地址: | 130033 吉林省長春*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | znmgo 紫外 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種ZnMgO紫外探測器,其特征在于,包括從下至上依次疊加的襯底、ZnMgO薄膜和叉指電極。
2.如權利要求1所述的ZnMgO紫外探測器,其特征在于,所述ZnMgO薄膜為六角相和立方相混相結構。
3.如權利要求2所述的ZnMgO紫外探測器,其特征在于,所述ZnMgO薄膜的吸收截至邊為260~300nm,所述ZnMgO紫外探測器的光響應截止邊為320nm。
4.一種如權利要求1~3中任一項所述的ZnMgO紫外探測器的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1、以有機鋅化合物作為鋅源,以有機鎂化合物作為鎂源,以高純氧氣為氧源,利用金屬有機化合物化學氣相沉積法在襯底的表面生長ZnMgO薄膜;
S2、在所述ZnMgO薄膜上使用負膠光刻形成叉指電極掩膜,在所述叉指電極掩膜濺射金屬后將所述叉指電極掩膜去除,形成叉指電極;
S3、在所述叉指電極上按壓In粒,得到MSM結構的ZnMgO紫外探測器。
5.如權利要求4所述的ZnMgO紫外探測器的制備方法,其特征在于,所述高純氧氣的流速為500~800sccm。
6.如權利要求4所述的ZnMgO紫外探測器的制備方法,所述有機鋅化合物為二甲基鋅或三乙基鋅,有機鎂化合物為二甲基二茂鎂或二乙基二茂鎂。
7.如權利要求4所述的ZnMgO紫外探測器的制備方法,其特征在于,所述有機鋅化合物以高純氮氣為載氣,所述載氣流速為10~40sccm;所述有機鎂化合物以高純氮氣為載氣,其載氣流速為5~20sccm。
8.如權利要求4所述的ZnMgO紫外探測器的制備方法,其特征在于,在所述步驟S2中,濺射電流為5~8mA。
9.如權利要求4所述的ZnMgO紫外探測器的制備方法,其特征在于,在所述步驟S2中,采用超聲波去除所述叉指電極掩膜,超聲時間為3~5min。
10.如權利要求4所述的ZnMgO紫外探測器的制備方法,其特征在于,在步驟S1之后還包括退火處理步驟,具體如下:
將所述ZnMgO薄膜移入退火爐,使用氧氣氣氛,氧氣流量為8~12sccm,以0.2~0.4℃/s的升溫速率將所述退火爐的爐溫升至550~700℃,經30~60min后,從所述退火爐中取出所述ZnMgO薄膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





