[發(fā)明專利]削角蝕刻裝置以及半導(dǎo)體器件制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010799661.0
• 申請日: 2020-08-11
• 公開（公告）號: CN112447554A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李學(xué)承;李鎬珍;林東燦;金鎮(zhèn)南;文光辰
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/64;H01J37/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種削角蝕刻裝置，包括：

卡盤板，配置為接收襯底；

下等離子體隔離區(qū)(PEZ)環(huán)，圍繞所述卡盤板的周邊；

蓋板，在所述卡盤板上；以及

上PEZ環(huán)，圍繞所述蓋板的周邊，

其中所述下PEZ環(huán)包括：

環(huán)基部；和

突起，從所述環(huán)基部的邊緣向上延伸以圍繞所述襯底的側(cè)壁的下部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的削角蝕刻裝置，其中所述突起具有比所述上PEZ環(huán)的外徑大的內(nèi)徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的削角蝕刻裝置，其中

所述突起的所述內(nèi)徑為300mm，并且

所述上PEZ環(huán)的所述外徑為294mm至299mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的削角蝕刻裝置，其中所述環(huán)基部的頂表面與所述卡盤板的頂表面共面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的削角蝕刻裝置，其中所述突起具有從所述環(huán)基部的所述頂表面起的745μm至772μm的高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的削角蝕刻裝置，其中所述蓋板在所述卡盤板上方，并且所述蓋板具有與所述卡盤板的直徑相同的直徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的削角蝕刻裝置，其中所述環(huán)基部具有比所述上PEZ環(huán)的寬度大的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的削角蝕刻裝置，其中所述上PEZ環(huán)比所述下PEZ環(huán)厚。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的削角蝕刻裝置，其中所述上PEZ環(huán)的底表面與所述蓋板的底表面共面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的削角蝕刻裝置，其中所述上PEZ環(huán)和所述下PEZ環(huán)暴露所述襯底的上拐角。

11.一種削角蝕刻裝置，包括：

腔室；

在所述腔室中的卡盤板，所述卡盤板配置為接收襯底；

圍繞所述卡盤板的周邊的下等離子體隔離區(qū)(PEZ)環(huán)，所述下PEZ環(huán)包括圍繞所述襯底的側(cè)表面的下部的外壁；

在所述卡盤板上的蓋板；

圍繞所述蓋板的周邊并在所述下PEZ環(huán)上的上PEZ環(huán)；以及

與所述上PEZ環(huán)和所述下PEZ環(huán)相鄰的偏置電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的削角蝕刻裝置，其中所述偏置電極包括：

在所述下PEZ環(huán)之下的下電極；和

在所述下電極和所述上PEZ環(huán)之上的上電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的削角蝕刻裝置，還包括偏置電源，所述偏置電源連接到所述下電極并配置為向所述下電極供應(yīng)偏置功率。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的削角蝕刻裝置，其中所述卡盤板包括：

卡盤基部；和

在所述卡盤基部上的電介質(zhì)層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的削角蝕刻裝置，還包括源電源，所述源電源連接到所述卡盤基部并配置為向所述卡盤基部供應(yīng)源功率。

16.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：

在第一襯底上形成第一半導(dǎo)體器件；

在第二襯底上形成第二半導(dǎo)體器件；

蝕刻所述第二襯底的上拐角以形成階梯狀凹槽，所述上拐角與所述第二半導(dǎo)體器件徑向地間隔開；以及

將所述第二半導(dǎo)體器件接合到所述第一半導(dǎo)體器件。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件制造方法，還包括拋光所述第二襯底的底表面以暴露所述階梯狀凹槽的垂直側(cè)壁。