[發明專利]一種具有P面鈍化層的AlGaInN基LED制備方法

有效

• 申請號: 202010798818.8
• 申請日: 2020-08-11
• 公開（公告）號: CN111952424B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 吳小明;陳芳;莫春蘭;王光緒;郭醒;羅昕;陶喜霞;李樹強;丁杰;胡武民
• 申請（專利權）人: 吳小明;陳芳;莫春蘭;王光緒;郭醒;羅昕;陶喜霞;李樹強;丁杰;胡武民
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 張文

1.一種具有P面鈍化層的AlGaInN基LED制備方法，步驟包括：

A、在暫時襯底上生長Al_xGa_yIn_1-x-yN基LED結構，包括N型Al_xGa_yIn_1-x-yN層,有源層和P型Al_xGa_yIn_1-x-yN層，其中0≤x≤1，0≤y≤1；

B、在P型AlxGayIn1-x-yN層上制備P面鈍化層，利用光刻技術，保留器件邊緣需鈍化區域的P面鈍化層，去除其余區域的P面鈍化層，暴露出P面鈍化層下面的P型Al_xGa_yIn_1-x-yN層；在P面鈍化層的制備過程中，P型Al_xGa_yIn_1-x-yN層表面與活性O或者N發生反應，電學性質發生改變；

C、在步驟B處理后暴露的P型Al_xGa_yIn_1-x-yN層上制備P側電極；

D、制備阻擋層和邦定金屬層，并與永久導電基板鍵合，去除暫時襯底；

E、對N型Al_xGa_yIn_1-x-yN層表面進行粗化；

F、刻蝕器件邊緣的Al_xGa_yIn_1-x-yN外延層，加工出切割道；

G、制備N面鈍化層：腐蝕待制備N電極區域的N面鈍化層；N面鈍化層覆蓋了P型Al_xGa_yIn_1-x-yN層的邊緣、有源區和N型Al_xGa_yIn_1-x-yN層側壁，以及未被N側電極覆蓋的N型Al_xGa_yIn_1-x-yN層的部分表面；

H、在N型Al_xGa_yIn_1-x-yN層上制備N側電極；

其特征在于：在制備P面鈍化層后，對P型Al_xGa_yIn_1-x-yN層進行退火，退火氣氛圍為N₂和O₂，O₂體積百分比為0%-20%；退火后，制備P側電極前，利用HCl水溶液對P型AlxGayIn1-x-yN層的表面進行清洗，進一步去除表面產物。

2.根據權利要求1所述的具有P面鈍化層的AlGaInN基LED制備方法，其特征在于：步驟B中的P面鈍化層材料為氧化硅、氮化硅或氮氧硅中的一種；或，上述三種中的兩種或三種組成的疊層。

3.根據權利要求1所述的具有P面鈍化層的AlGaInN基LED制備方法，其特征在于：步驟B中的P面鈍化層的制備方法為物理或者化學氣相沉積。

4.根據權利要求1所述的具有P面鈍化層的AlGaInN基LED制備方法，其特征在于：HCl水溶液濃度≥6 mol/L。

5.根據權利要求1所述的具有P面鈍化層的AlGaInN基LED制備方法，其特征在于：切割道腐蝕后，P面鈍化層與P型Al_xGa_yIn_1-x-yN重疊的寬度為W，W≥0.1 μm。