[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202010798568.8 | 申請日： | 2020-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN113410282A | 公開（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發明（設計）人： | 藤農佑樹 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，具備：
第一電極；
第一導電型的第一半導體層，設置在所述第一電極之上；
第一導電型的第二半導體層，設置在所述第一半導體層之上；
第二導電型的第一半導體區域，設置在所述第二半導體層之上；
第一導電型的第二半導體區域，設置在所述第一半導體區域之上；
第一絕緣膜，設置在從所述第二半導體區域之上經過所述第二半導體區域及所述第一半導體區域而到達所述第二半導體層的溝槽內，并包含第一絕緣材料；
第二電極，在所述溝槽內，隔著所述第一絕緣膜而與所述第二半導體層對置地設置；
第二絕緣膜，在設置在所述第二電極的側面與所述第二半導體層之間的第五絕緣膜與所述第二電極的側面之間，設置在從所述第二電極的下端起所述第二電極的高度的40％的位置與所述第二電極的上端的位置之間，并包含比所述第一絕緣材料的介電常數高的第二絕緣材料；
第三電極，設置在所述第二電極、所述第一絕緣膜以及所述第二絕緣膜之上，隔著柵極絕緣膜而與所述第一半導體區域對置地設置；
層間絕緣膜，設置在所述第三電極之上；以及
第四電極，設置在所述層間絕緣膜之上，
比所述第二電極的高度的40％的位置靠下的所述溝槽內的所述第一絕緣膜僅包含所述第一絕緣材料。
2.一種半導體裝置，具備：
第一電極；
第一導電型的第一半導體層，設置在所述第一電極之上；
第一導電型的第二半導體層，設置在所述第一半導體層之上；
第二導電型的第一半導體區域，設置在所述第二半導體層之上；
第一導電型的第二半導體區域，設置在所述第一半導體區域之上；
第一絕緣膜，設置在從所述第二半導體區域之上經過所述第二半導體區域及所述第一半導體區域而到達所述第二半導體層的溝槽內，并包含第一絕緣材料；
第二電極，在所述溝槽內，隔著所述第一絕緣膜而與所述第二半導體層對置地設置；
第二絕緣膜，在設置在所述第二電極的側面與所述第二半導體層之間的第五絕緣膜與所述第二電極的側面之間，設置在從所述第二電極的下端起所述第二電極的高度的40％的位置與所述第二電極的上端的位置之間，并包含比所述第一絕緣材料的介電常數高的第二絕緣材料；
第三電極，設置在所述第二電極、所述第一絕緣膜以及所述第二絕緣膜之上，隔著柵極絕緣膜而與所述第一半導體區域對置地設置；
層間絕緣膜，設置在所述第三電極之上；以及
第四電極，設置在所述層間絕緣膜之上，
比所述第二電極的高度的40％的位置靠下的所述溝槽內的所述第一絕緣膜不包含所述第二絕緣材料。
3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
所述第二電極的側面與所述第二半導體層之間的所述第二絕緣膜的膜厚為，未設有所述第二絕緣膜的所述第二電極的側面與所述第二半導體層之間的所述第一絕緣膜的膜厚的30％以上。
4.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
所述半導體裝置還具備第三絕緣膜，該第三絕緣膜設置在所述第二電極的側面與所述第二絕緣膜之間，并包含所述第一絕緣材料。
5.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
所述第二絕緣膜具有第一部分和第二部分，該第二部分設置在所述第一部分之上，且水平方向的膜厚比所述第一部分的水平方向的膜厚厚。
6.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
所述第二電極具有第三部分和第四部分，該第四部分設置在所述第三部分之上，且水平方向的膜厚比所述第三部分的水平方向的膜厚厚。
7.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
所述第一絕緣材料為氧化硅，所述第二絕緣材料為氮化硅。
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