[發(fā)明專(zhuān)利]鹵素鈣鈦礦單晶X射線探測(cè)器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010797170.2
• 申請(qǐng)日: 2020-08-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111816719B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊斌;李駿馳;牛廣達(dá)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 湖南大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/032
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/032;H01L31/115;H01L31/18
• 代理公司: 北京易捷勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11613
• 代理人: 齊勝杰

1.一種鹵素鈣鈦礦單晶X射線探測(cè)器的制備方法，其包括：

S1: 制備全無(wú)機(jī)鹵素鈣鈦礦單晶：通過(guò)溶液法在生長(zhǎng)CsPbBr₃單晶的溶液中添加鹵化銣的可溶性鹽，具體包括如下步驟：

S11、制備全無(wú)機(jī)鈣鈦礦單晶

將摩爾比為0.99：0.01:1的CsBr、RbBr和PbBr₂溶解到DMSO中，50℃下混合攪拌10小時(shí)至材料全部溶解，用PVDF濾頭將溶液兩次過(guò)濾至透明澄清，得到澄清的Cs_0.99Rb_0.01PbBr₃溶液，在70-115℃油浴中緩慢升溫直至生成單顆晶核，移出晶核；

S12、將生成的晶核移入新的澄清的Cs_0.99Rb_0.01PbBr₃溶液中，再油浴加熱保溫80-105℃繼續(xù)生長(zhǎng)，直至晶體生長(zhǎng)至邊長(zhǎng)為0.5-1cm的矩形體；

S2:制備單晶X射線探測(cè)器：選取所述全無(wú)機(jī)鹵素鈣鈦礦單晶兩個(gè)相對(duì)的面，在所述兩個(gè)相對(duì)的面上分別形成電極，或者一個(gè)面上形成電極，另一個(gè)面上依次形成電子傳輸層、界面修飾層和電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：

所述步驟S2中：所述形成電極的方法為蒸鍍法、濺射法或涂布法，所述電極的材料為金、銀、銅或鋁；

所述形成電子傳輸層和界面修飾層的方法為蒸鍍法，所述電子傳輸層材料為富勒烯C₆₀或其衍生物，所述界面修飾層材料為BCP。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：在步驟S1與S2之間，還包括：將生成的鈣鈦礦單晶的表面清洗之后置于真空干燥箱中干燥1-3h，干燥溫度為40-60℃。