[發明專利]太陽能電池及其制作方法

在審

• 申請號: 202010796626.3
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN111739984A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 徐孟雷;楊潔;張昕宇;金浩
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 肖麗

1.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在具有第一極性的半導體襯底的第一表面形成電介質層；

將帶有圖案的陰罩設置于電介質層的表面，在所述電介質層的表面沉積多晶硅層并在沉積時使用具有第二極性的摻雜元素進行原位摻雜，以形成對應所述陰罩圖案的多晶硅層；

去除所述陰罩，在所述半導體襯底的第一表面和/或第二表面形成鈍化層；

在所述半導體襯底的第一表面制作第一電極和第二電極，其中所述第一電極穿過所述鈍化層與所述半導體襯底形成接觸，所述第二電極穿過所述鈍化層與所述多晶硅層形成歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述陰罩設置有至少一個開口，所述開口的寬度范圍為500μm-2000μm。

3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述具有第一極性的半導體襯底為P型襯底，所述具有第二極性的摻雜元素為磷或砷；所述形成對應所述陰罩圖案的多晶硅層包括：

將帶有圖案的陰罩固定放置在電介質層的表面，所述陰罩包括開口區域和非開口區域，所述陰罩的非開口區域用以遮擋形成P型區域，在所述陰罩的開口區域，采用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法或原子層沉積法在所述電介質層的表面沉積多晶硅層，在沉積的同時使用磷或砷進行原位摻雜，而后進行退火處理，形成N型多晶硅層。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底的第一表面制作第一電極和第二電極包括：

在所述P型區域印刷鋁漿，在所述N型多晶硅層區域印刷銀漿；

對所述銀漿和所述鋁漿進行燒結，在所述銀漿對應區域形成第二電極，所述第二電極穿過所述鈍化層與所述N型多晶硅層形成歐姆接觸，在所述鋁漿對應區域形成鋁背面電場和第一電極，所述第一電極穿過所述鈍化層與所述半導體襯底形成接觸。

5.根據權利要求1或2所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述具有第一極性的半導體襯底為N型襯底，所述具有第二極性的摻雜元素為硼或銦；所述形成對應所述陰罩圖案的多晶硅層包括：

將帶有圖案的陰罩固定放置在電介質層的表面，所述陰罩包括開口區域和非開口區域，所述陰罩的非開口區域用以遮擋形成N型區域，在所述陰罩的開口區域，采用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法或原子層沉積法在所述電介質層的表面沉積多晶硅層，在沉積的同時使用硼或銦進行原位摻雜，而后進行退火處理，形成P型多晶硅層。

6.根據權利要求5所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，在所述N型區域進行磷或砷摻雜，形成N+摻雜層。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底的第一表面制作第一電極和第二電極包括：

在所述N+摻雜層區域印刷銀漿，在所述P型多晶硅層區域印刷銀/鋁漿或銀漿；

對所述銀漿或所述銀/鋁漿進行燒結，在所述N+摻雜層區域，所述銀漿對應區域形成第一電極，所述第一電極穿過所述鈍化層與所述N+摻雜層形成歐姆接觸；在所述P型多晶硅層區域，所述銀/鋁漿或銀漿對應區域形成第二電極，所述第二電極穿過所述鈍化層與所述P型多晶硅層形成歐姆接觸。

8.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池采用權利要求1-7任一項所述的太陽能電池的制作方法制作得到。