[發明專利]顯示面板及其制作方法

有效

• 申請號: 202010796247.4
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN112002706B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 吳衛華
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/26;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

1.一種顯示面板，其特征在于，包括第一襯底、位于所述第一襯底上的有源層、位于所述有源層上的柵絕緣層、位于所述柵絕緣層上的柵極層、位于所述柵極層上的絕緣層、及位于所述絕緣層上通過多個第一過孔與所述有源層電連接的源漏極層；

其中，所述有源層的材料包括第一物質以及第二物質，所述第一物質包括氮元素，所述第二物質包括銦元素及錫元素，所述源漏極層與所述有源層的接觸面與所述有源層的第一區域對應，位于所述第一區域內的所述第一物質的濃度大于所述有源層中位于所述第一區域的外圍的所述第一物質的濃度。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一物質的氮元素來自于以下一種或多種的組合：氮氣、氮氧化合物；

所述第二物質為銦鎵錫氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵鋅錫氧化物中的一種或多種的組合。

3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，在所述第一襯底至所述柵絕緣層的方向上，所述第一物質的濃度逐漸降低。

4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，在所述第一襯底至所述柵絕緣層的方向上，所述第一物質的濃度逐漸升高。

5.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，在所述第一襯底至所述柵絕緣層的方向上，所述第一物質的濃度先降低后升高。

6.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，在所述有源層的外圍至所述有源層的中心的方向上，所述第一物質的濃度逐漸降低。

7.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在第一襯底上形成有源層；

在所述有源層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上依次形成柵極層及絕緣層；

在所述絕緣層上形成第一過孔，所述第一過孔貫穿所述絕緣層、柵絕緣層，使所述有源層裸露；

在所述絕緣層上形成源漏極層，所述源漏極層通過所述第一過孔與所述有源層電連接；

其中，所述有源層的材料包括第一物質以及第二物質，所述第一物質包括氮元素，所述第二物質包括銦元素及錫元素，所述源漏極層與所述有源層的接觸面與所述有源層的第一區域對應，位于所述第一區域內的所述第一物質的濃度大于所述有源層中位于所述第一區域的外圍的所述第一物質的濃度。

8.根據權利要求7所述顯示面板的制作方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成第一過孔，所述第一過孔使所述有源層裸露之后，還包括：

通過等離子氣體處理，通入氮氣和/或氮氧化合物中的一種或多種的組合，形成所述第一物質，所述第一物質位于所述源漏極層與所述有源層的接觸面的對應區域內。

9.根據權利要求7所述顯示面板的制作方法，其特征在于，在所述柵絕緣層上形成所述柵極層之后、及形成所述絕緣層之前，還包括：

對所述有源層的第二區域進行等離子氣體處理，通入以下一種或多種的組合：氮氣、氮氧化合物，形成所述第一物質；

其中，所述第二區域為所述有源層與所述柵絕緣層的非接觸區域。