[發(fā)明專利]柔性植入式神經(jīng)光電極的光學(xué)器件及其設(shè)計(jì)、制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010795618.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111939482B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陶虎;顧馳;周志濤;魏曉玲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | H01J40/06 | 分類號(hào): | H01J40/06 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;賈允 |
| 地址: | 200050 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性 植入 神經(jīng) 電極 光學(xué) 器件 及其 設(shè)計(jì) 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了柔性植入式神經(jīng)光電極的光學(xué)器件,其設(shè)置于柔性聚合物襯底上,包括:輸入光柵、波導(dǎo)和輸出光柵,輸入光柵為平行光柵,用于耦合入射光,波導(dǎo)的輸入端與輸入光柵耦合連接,波導(dǎo)的輸出端與輸出光柵耦合連接,輸出光柵為聚焦光柵,用于將光耦合、聚焦照射在記錄電極上方,提供單細(xì)胞分辨率的光刺激。本發(fā)明還公開(kāi)了上述光學(xué)器件的設(shè)計(jì)和制備方法。本發(fā)明提供的柔性植入式神經(jīng)光電極的光學(xué)器件,通過(guò)對(duì)波導(dǎo)和光柵的設(shè)計(jì)刻提供單細(xì)胞分辨率的光刺激和原位記錄;器件尺寸小能減少植入損傷,且低損耗、高耦合、強(qiáng)聚焦;其高集成度利于實(shí)現(xiàn)多通道、高密度的神經(jīng)刺激和記錄;采用柔性聚合物襯底能減少神經(jīng)瘢痕的形成,實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期在體穩(wěn)定工作。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及神經(jīng)科學(xué)領(lǐng)域,尤其涉及柔性植入式神經(jīng)光電極的光學(xué)器件及其設(shè)計(jì)、制備方法。
背景技術(shù)
光電極是光遺傳工具應(yīng)用的重要組成部分,其功能是把光導(dǎo)入腦內(nèi)調(diào)控神經(jīng)元活動(dòng),同時(shí)記錄神經(jīng)元電信號(hào)在光調(diào)控下變化情況的一種植入式神經(jīng)接口器件。隨著光遺傳技術(shù)神經(jīng)科學(xué)研究中應(yīng)用的深入,以及其在疾病治療方面的探索,與光遺傳技術(shù)相配合的光電極從材料選擇、器件結(jié)構(gòu)、給光方式和集成工藝等方面都呈現(xiàn)出百花齊放的發(fā)展態(tài)勢(shì)。
其中,植入式神經(jīng)光電極的給光方式主要有兩種,一是通過(guò)在記錄電極裝置附近設(shè)置發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)或激光二極管(Laser Diode,LD)作為光源提供光刺激,另一種是通過(guò)光波導(dǎo)將光纖中的光傳導(dǎo)至記錄電極附近并射出來(lái)提供光刺激。一方面,LED或LD工作容易發(fā)熱造成神經(jīng)損傷,需要額外考慮產(chǎn)熱評(píng)估和控制,此外制備時(shí)還需要考慮器件的防水性,其生物相容性和器件可靠性不如波導(dǎo);另一方面,波導(dǎo)具有更小的尺寸,在植入過(guò)程中減少損傷,同時(shí)還能提高器件的集成度,提高記錄通道數(shù)和密度,此外在波導(dǎo)前端使用光柵進(jìn)行光的耦合輸出,通過(guò)對(duì)光柵的設(shè)計(jì)可以方便地控制輸出光的輪廓。
在植入式神經(jīng)光電極的波導(dǎo)的材料選擇上,也主要有兩種,一種是基于SU-8等聚合物材料實(shí)現(xiàn)的光波導(dǎo),但其波導(dǎo)剖面的長(zhǎng)寬尺寸一般達(dá)到10-20μm,導(dǎo)致植入體尺寸較大,增大植入損傷,器件集成度低也不利于實(shí)現(xiàn)高密度、多通道的神經(jīng)細(xì)胞刺激和信號(hào)記錄;另一種基于氮化硅材料實(shí)現(xiàn)的光波導(dǎo),其襯底采用硬質(zhì)材料如硅襯底,器件植入后硬質(zhì)襯底與腦組織的楊氏模量不匹配,這導(dǎo)致器件在體過(guò)程中植入體與腦組織的相對(duì)運(yùn)動(dòng)會(huì)導(dǎo)致很大的剪切力等應(yīng)力,在植入體周圍形成大量神經(jīng)瘢痕,難以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期在體穩(wěn)定工作。
基于微機(jī)電系統(tǒng)(MicroElectro-Mechanical System,MEMS)工藝制備的光波導(dǎo)展示出了集成器件的優(yōu)點(diǎn):幾十微米的波導(dǎo)尺寸大大減小了光電極植入造成的截面損傷,同時(shí)MEMS工藝的靈活性使其更易于與電極器件集成,能做出包含多個(gè)光電通道、多色、多位點(diǎn)的光電極器件。它用光刻定義出電學(xué)和光學(xué)器件的尺寸,可以實(shí)現(xiàn)刺激位點(diǎn)和記錄電極之間相對(duì)位置精準(zhǔn)的控制。
因此,對(duì)比上述給光方式、材料選擇和加工工藝上的優(yōu)劣,有必要設(shè)計(jì)一種新的包含波導(dǎo)和光柵的光學(xué)器件結(jié)構(gòu),并用于柔性植入式神經(jīng)光電極中,從而使其尺寸更小、集成度更高、給光更精準(zhǔn)高效。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是降低植入式神經(jīng)光電極中光學(xué)器件的尺寸,提高其集成度,并能提供精準(zhǔn)高效的光刺激。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明公開(kāi)了柔性植入式神經(jīng)光電極的光學(xué)器件及其設(shè)計(jì)、制備方法。具體技術(shù)方案如下所述:
第一方面,本發(fā)明公開(kāi)了一種柔性植入式神經(jīng)光電極的光學(xué)器件,所述光學(xué)器件設(shè)置于柔性植入式神經(jīng)光電極的柔性聚合物襯底上,所述光學(xué)器件包括:
輸入光柵、波導(dǎo)和輸出光柵,
所述輸入光柵為平行光柵結(jié)構(gòu),用于耦合預(yù)設(shè)波長(zhǎng)和入射角度的入射光,
所述波導(dǎo)的輸入端與所述輸入光柵耦合連接,所述波導(dǎo)的輸出端與所述輸出光柵耦合連接,
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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