[發明專利]軸向二極管的加工方法在審
| 申請號: | 202010795288.1 | 申請日: | 2020-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN111933535A | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發明(設計)人: | 王志敏;黃麗鳳;張英宏;湯嘉立 | 申請(專利權)人: | 如皋市大昌電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L29/861 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人: | 崔立青;王玉梅 |
| 地址: | 226578 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 軸向 二極管 加工 方法 | ||
1.軸向二極管的加工方法,其特征在于,該軸向二極管的加工方法包括以下步驟:
步驟一、組架,首先將導線安裝規格排入石墨模上,再將底層焊片吸入導線底舟上,放入吸晶粒,把加有助焊劑的膏狀焊料擠住在吸晶粒上,而后將上層焊片吸入導線底舟上,把加有助焊劑的膏狀焊料擠住在底層焊片和上層焊片上,合上石墨盒的上蓋,得到組裝好的組件;
步驟二、燒結,將得到組裝好的組件放入燒結爐內進行燒結,燒結溫度為1000-1200℃,燒結時間為80-100min,燒結完成后,對燒結爐進行降溫,首先在30-35min內將溫度降至700-800℃,再在20-25min內將溫度降至400-500℃,然后再在30-40min將溫度降至100-180℃,最后逐漸降至常溫,取出備用,得到燒結好的組件;
步驟三、酸洗,將得到燒結好的組件進行酸洗,首先將其放入酸洗機中加入水和氫氟酸進行酸洗,時長為3-5min,而后用清水進行沖洗1次,而后將其放入煙筍與硫酸混合液中進行清洗,清洗時長為2-3min,而后用純凈水進行高壓沖洗一次,最后采用磷酸、過氧化氫、水和乙酸進行超聲波清洗,清洗時長為30-60s,而后取出進行脫水處理,得到清洗后的組件;
步驟四、上膠固化,將得到的清洗后的組件轉移到上膠機上,打開高壓氮,控制氮氣壓力,在管芯部位上第一遍白膠,涂敷的膠層呈算盤珠狀,膠層厚度0.1-0.35mm,上膠結束后進入膠固化烘箱,烘烤80-100min,烘烤溫度為118-125℃,烘烤結束后將其取出,放置上膠間冷卻20-30min,對材料管芯部位進行第二次上膠,膠層厚度為0.1-0.35mm,上膠結束后進入膠固化烘箱烘烤,烘烤第一階段溫度為110-120℃,時間為80-90min,第二階段溫度為210-225℃,時間為280-360分鐘,得到上膠固化的二極管;
步驟五、電鍍與引直,將上膠固化的二極管中的管子的引線通過電鍍使表面形成一層薄膜的錫層,再將管子引線平直,得到軸向二極管;
步驟六,檢測,將得到的軸向二極管裝載到自動測試機上,全數進行電性測試,通過測試的成品進行激光印字,合格品裝載入載帶中并熱封表面覆帶,即可完成軸向二極管的加工工藝,得到質量好的軸向二極管。
2.根據權利要求2所述的軸向二極管的加工方法,其特征在于:步驟三中超聲波清洗時溫度設置在70-80℃最佳。
3.根據權利要求2所述的軸向二極管的加工方法,其特征在于:步驟三中超聲波酸洗時采用磷酸、過氧化氫、水和乙酸的體積比為1:0.5:3:0.2。
4.根據權利要求2所述的軸向二極管的加工方法的制備工藝,其特征在于:步驟四中上膠時氮氣的壓力,1安培的產品為0.16±0.05kg,1.5安培的產品為0.25±0.05kg。
5.根據權利要求1所述的軸向二極管的加工方法的制備工藝,其特征在于:步驟五中引直時為通過人工或機器引直。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





