[發(fā)明專利]一種可以檢測單側(cè)電容的電容檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010795066.X | 申請日： | 2020-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN112014648B | 公開（公告）日： | 2023-04-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高亭 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京天易合芯電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R27/26 | 分類號： | G01R27/26;G01D5/241 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江蘇省南京市浦口區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 可以 檢測 電容 方法 | ||
1.一種可以檢測單側(cè)電容的電容檢測方法，其特征在于，包括步驟：
(1)進(jìn)行第一次檢測，將傳感元件以及屏蔽層在傳感器芯片內(nèi)短接，并采樣此時的電容，為C1＝Cuser+Cback；其中，Cuser為傳感元件側(cè)的電容，Cback為屏蔽層側(cè)的電容；
(2)進(jìn)行第二次檢測，將傳感元件以及屏蔽層分別接入電容電壓轉(zhuǎn)換器的正負(fù)輸入端，并采樣此時的電容，為C2＝Cuser-Cback；其中，傳感元件接入正端，屏蔽層接入負(fù)端；
(3)對兩次檢測結(jié)果求平均，得到傳感元件單側(cè)電容Cuser＝(C1+C2)/2；
所述步驟(2)具體包括：
(2.1)在相位PH1時，將屏蔽層接地，并將傳感單元充電至Vcharge；
(2.2)在相位PH2時，將傳感單元接入電容電壓轉(zhuǎn)換器，電容電壓轉(zhuǎn)換器得到的電荷為(Cuser+Cshiled)*Vcharge；其中，Cshield為傳感單元與屏蔽層之間的電容值；
(2.3)在相位PH3時，將傳感單元接地，并將屏蔽層充電至-Vcharge；
(2.4)在相位PH4時，將屏蔽層接入電容電壓轉(zhuǎn)換器，電容電壓轉(zhuǎn)換器得到的電荷為(Cback+Cshiled)*(-Vcharge)；
(2.5)通過兩次轉(zhuǎn)換，電容電壓轉(zhuǎn)換器上得到的總電荷為(Cuser-Cback)*Vcharge，通過模數(shù)轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行量化，得到電容C2＝Cuser-Cback。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可以檢測單側(cè)電容的電容檢測方法，其特征在于，所述步驟(1)具體包括：
(1.1)將傳感單元與屏蔽層短接；
(1.2)在相位PH1時，將傳感單元與屏蔽層充電至Vcharge；
(1.3)在相位PH2時，將傳感單元與屏蔽層上存儲的電荷轉(zhuǎn)移至電容電壓轉(zhuǎn)換器，轉(zhuǎn)移電荷量為(Cuser+Cback)*Vcharge；
(1.4)通過模數(shù)轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行量化，得到電容C1＝Cuser+Cback。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可以檢測單側(cè)電容的電容檢測方法，其特征在于，傳感單元與屏蔽層短接時，處于等電位，Cshield不會存儲或轉(zhuǎn)移電荷；其中，Cshield為傳感單元與屏蔽層之間的電容值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可以檢測單側(cè)電容的電容檢測方法，其特征在于，相位PH1/PH2/PH3/PH4各差90度，為非交疊時鐘。
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