[發明專利]數據寫入方法、存儲器控制電路單元以及存儲器存儲裝置

在審

• 申請號: 202010794976.6
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN114077515A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 陳秉正
• 申請（專利權）人: 群聯電子股份有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;臧建明

1.一種數據寫入方法，用于可復寫式非易失性存儲器模塊，其中所述可復寫式非易失性存儲器模塊包括多個管理單元，所述多個管理單元包括多個芯片致能群組，每個所述多個芯片致能群組包括多個平面，每個所述多個平面包括多個物理程序化單元，所述多個芯片致能群組包括第一芯片致能群組及第二芯片致能群組，且所述數據寫入方法包括：

從主機系統接收第一數據及第二數據；

根據所述第一數據產生第一陣列錯誤校正碼，并根據所述第二數據產生第二陣列錯誤校正碼；

使用第一程序化模式將包括所述第一陣列錯誤校正碼的第一群組程序化至所述第一芯片致能群組中；以及

使用第二程序化模式將包括所述第二陣列錯誤校正碼的第二群組程序化至所述第二芯片致能群組中，所述第二程序化模式不同于所述第一程序化模式，

其中所述第一陣列錯誤校正碼及所述第二陣列錯誤校正碼分別用以校正存有所述第一數據及所述第二數據的所述多個物理程序化單元。

2.根據權利要求1所述的數據寫入方法，其中所述第一數據的數據量與所述第二數據的數據量不同，所述第一陣列錯誤校正碼與所述第二陣列錯誤校正碼可校正的所述多個物理程序化單元的數量不同。

3.根據權利要求1所述的數據寫入方法，其中在所述第一程序化模式中根據第一程序化順序將所述第一陣列錯誤校正碼程序化至第一超物理程序化單元，

在所述第二程序化模式中根據第二程序化順序將所述第二陣列錯誤校正碼程序化至第二超物理程序化單元，

其中所述第一程序化順序不同于所述第二程序化順序。

4.根據權利要求3所述的數據寫入方法，其中所述第一超物理程序化單元具有多個物理程序化單元，其中，第一物理程序化單元為所述第一超物理程序化單元中最后被程序化的物理程序化單元，

其中所述第二超物理程序化單元具有多個物理程序化單元，其中，第二物理程序化單元為所述第二超物理程序化單元中最后被程序化的物理程序化單元，且所述第一物理程序化單元于所述第一超物理程序化單元中的相對位置不同于所述第二物理程序化單元于所述第二超物理程序化單元中的相對位置。

5.根據權利要求1所述的數據寫入方法，其中超物理抹除單元中包含所述第一芯片致能群組及所述第二芯片致能群組，其中程序化至所述第一芯片致能群組的所述第一陣列錯誤校正碼的組數相同于程序化至所述第二芯片致能群組的所述第二陣列錯誤校正碼的組數，其中所述超物理抹除單元為最小的數據抹除管理單位。

6.根據權利要求1所述的數據寫入方法，其中所述第一陣列錯誤校正碼包括第一部分陣列錯誤校正碼及第二部分陣列錯誤校正碼。

7.根據權利要求6所述的數據寫入方法，所述方法還包括：

將所述第一部分陣列錯誤校正碼暫存在緩沖存儲器中；以及

在根據所述第一數據產生所第二部分陣列錯誤校正碼之后，將所述第一部分陣列錯誤校正碼及所述第二部分陣列錯誤校正碼分別程序化至所述第一芯片致能群組包括的不同所述平面的所述多個物理程序化單元中。

8.根據權利要求1所述的數據寫入方法，其中所述第一陣列錯誤校正碼及所述第二陣列錯誤校正碼為奇偶校正碼，所述第一陣列錯誤校正碼用以當存有所述第一數據的所述物理程序化單元的至少其中之一產生錯誤時，根據奇偶校正算法修正產生錯誤的所述物理程序化單元，所述第二陣列錯誤校正碼用以當存有所述第二數據的所述物理程序化單元的至少其中之一產生錯誤時，根據所述奇偶校正算法修正產生錯誤的所述物理程序化單元。

9.根據權利要求1所述的數據寫入方法，所述方法還包括：

根據所述第一數據產生冗余錯誤校正碼，所述冗余錯誤校正碼用以校正被寫入至少部分所述第一數據的單個所述物理程序化單元，

其中所述冗余錯誤校正碼能校正的比特數小于所述第一陣列錯誤校正碼能校正的比特數。