[發(fā)明專利]陣列基板制備方法和陣列基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010794733.2
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN112002705B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王羽培
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法包括利用物理氣相沉積工藝在襯底基板上制備一半導(dǎo)體層作為有源層，將有源層放置在磁控裝置中，磁控裝置給有源層提供一旋轉(zhuǎn)的磁場；通過旋轉(zhuǎn)磁場改變有源層中各方向上金屬原子的磁矩方向，使各方向上金屬原子和氧原子的磁矩方向相同，增大了有源層的穩(wěn)定性，緩解了現(xiàn)有陣列基板存在有源層不穩(wěn)定的技術(shù)問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板制備方法和一種陣列基板。

背景技術(shù)

陣列基板朝著大尺寸、高分辨率、高刷新頻率和柔性的方向發(fā)展，在現(xiàn)有陣列基板中，因磁控濺射生成的有源層，有源層會存在許多缺陷態(tài)，通過退火處理后，有源層存在不穩(wěn)定的現(xiàn)象，因此，現(xiàn)有陣列基板存在穩(wěn)定性差的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板制備方法和一種陣列基板，可緩解現(xiàn)有陣列基板存在穩(wěn)定性差的技術(shù)問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上利用物理氣相沉積工藝制備一金屬層，利用刻蝕工藝形成柵極；

在所述柵極上利用化學(xué)氣相沉積制備一絕緣層，再依次利用刻蝕工藝形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上利用物理氣相沉積工藝制備一半導(dǎo)體層作為有源層；

將前述步驟形成的基板置于旋轉(zhuǎn)磁場中，使所述有源層的金屬原子形成特定磁矩方向；

在磁化后的所述有源層上制備后續(xù)功能膜層，形成所述陣列基板。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法中，在給所述有源層提供一旋轉(zhuǎn)的磁場的步驟中，還包括：

將所述有源層及所述襯底基板按平行于磁感線的方向放入磁場。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法中，在給所述有源層提供一旋轉(zhuǎn)的磁場的步驟中，還包括：

將所述有源層放入磁場中，所述磁場的轉(zhuǎn)速范圍為500轉(zhuǎn)每分鐘至2000轉(zhuǎn)每分鐘。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法中，在形成所述有源層的的步驟中，還包括：

利用物理氣相沉積工藝制備一半導(dǎo)體層，形成所述有源層，所述有源層的制備材料為銦鎵鋅氧化物。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法中，其特征在于，在形成所述有源層的的步驟中，還包括：

利用物理氣相沉積工藝制備一半導(dǎo)體層作為有源層，所述有源層的厚度范圍為300埃至700埃。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法中，在形成所述柵絕緣層的的步驟中，還包括：通過等離子化學(xué)氣相沉積工藝制備一絕緣層作為柵絕緣層，所述柵絕緣層的厚度范圍為1500埃至4000埃。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法中，在形成所述柵絕緣層的的步驟中，還包括：過等離子化學(xué)氣相沉積工藝制備一絕緣層作為柵絕緣層，所述柵絕緣層的制備材料為氧化硅或氧化硅和氮化硅復(fù)合層。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法中，在形成所述柵極的的步驟中，還包括：

利用物理氣相沉積工藝制備一鋁層，利用刻蝕工藝形成柵極。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括襯底基板、陣列層、像素定義層、發(fā)光功能層、封裝層，所述陣列層包括：

設(shè)置在所述襯底基板上的柵極；以及

設(shè)置在所述柵極上的柵絕緣層；以及

設(shè)置在所述柵絕緣層上的有源層；