[發(fā)明專利]具有薄半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010794710.1 | 申請日： | 2020-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN112864224A | 公開（公告）日： | 2021-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | C·格魯貝爾;B·貝爾納德;T·波爾斯特;C·馮科布林斯基 | 申請（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 劉茜璐;申屠偉進(jìn) |
| 地址： | 德國瑙伊比*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 半導(dǎo)體 管芯 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體管芯，包括前側(cè)表面、與所述前側(cè)表面相對的背側(cè)表面、以及側(cè)面；
背側(cè)金屬化層，沉積在所述背側(cè)表面上并且橫向向外突出超過所述側(cè)面；以及
側(cè)面保護(hù)層，覆蓋所述側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體管芯的厚度等于或小于60μm或40μm或20μm或15μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述側(cè)面保護(hù)層是聚合物層。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述側(cè)面保護(hù)層完全覆蓋所述側(cè)面。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，在豎直投影中，所述背側(cè)金屬化層的輪廓包圍所述側(cè)面的輪廓。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述側(cè)面保護(hù)層在所述半導(dǎo)體管芯的所述背側(cè)表面上突出。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，
所述側(cè)面保護(hù)層的外側(cè)面具有激光切割表面狀況；并且
所述背側(cè)金屬化層的外側(cè)面具有激光切割表面狀況。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，
所述側(cè)面保護(hù)層包括第一子層和第二子層；
所述第一子層與所述側(cè)面重疊且不與所述背側(cè)表面重疊；并且
所述第二子層與所述背側(cè)表面和所述側(cè)面的邊緣區(qū)重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，
所述第一子層與所述側(cè)面的下部區(qū)間隔開一定間隙；并且
所述間隙被所述第二子層填充。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述背側(cè)金屬化層的至少一部分通過所述第二子層與所述背側(cè)表面間隔開。
11.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件；
器件載體；以及
焊料層，布置在所述器件載體與所述背側(cè)金屬化層之間以將所述半導(dǎo)體器件安裝到所述器件載體，其中，在豎直投影中，所述焊料層的輪廓包圍所述側(cè)面的輪廓。
12.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
在晶片的前側(cè)表面中形成凹槽；
用第一側(cè)面保護(hù)材料填充所述凹槽；
在與所述前側(cè)表面相對的所述晶片的背側(cè)表面處減薄所述晶片；
在減薄的晶片的所述背側(cè)表面上沉積背側(cè)金屬化層；以及
沿著所述凹槽穿過所述側(cè)面保護(hù)材料并穿過所述背側(cè)金屬化層進(jìn)行激光切割，以將所述晶片分離成多個(gè)半導(dǎo)體器件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，執(zhí)行減薄至少直到所述第一側(cè)面保護(hù)材料被暴露并且形成所述減薄的晶片的所述背側(cè)表面的一部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，還包括：
在沉積所述背側(cè)金屬化層之前，使所述減薄的晶片的所述背側(cè)表面粗糙化。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的方法，還包括：
在所述減薄的晶片的所述背側(cè)表面上沉積所述背側(cè)金屬化層之前，在所述減薄的晶片的所述背側(cè)表面上涂敷第二側(cè)面保護(hù)材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述背側(cè)金屬化層在激光切割之前保持未被結(jié)構(gòu)化。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
