[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結構及封裝方法

在審

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• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN111883639A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設計）人: 毛德豐;聶泳忠
• 申請（專利權）人: 西人馬（廈門）科技有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/56
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 娜拉

1.一種發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，包括：

襯底(10)，具有第一表面(11)，所述第一表面(11)于預設區(qū)域內(nèi)摻雜形成相互絕緣的用于與待封裝的發(fā)光二極管(20)電連接的第一電極(13)和第二電極(14)；

封裝層(30)，設于所述第一表面(11)上且覆蓋待封裝的發(fā)光二極管(20)。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述第一表面(11)為平整的表面，所述第一電極(13)和所述第二電極(14)暴露于所述第一表面(11)，所述發(fā)光二極管(20)設于所述第一表面(11)且覆蓋所述第一電極(13)和所述第二電極(14)設置，或所述發(fā)光二極管(20)在所述第一表面(11)的正投影位于所述第一電極(13)和所述第二電極(14)之間；或者，

所述第一表面(11)為臺階面，臺階面包括呈臺階分布的第一平整面和第二平整面，所述第二平整面的兩側(cè)分別設有所述第一平整面，所述發(fā)光二極管(20)設置于所述第二平整面，所述第一電極(13)和所述第二電極(14)分別暴露于所述第一平整面上。

3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述發(fā)光二極管(20)為紫外光發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管(20)與所述第一表面(11)無縫接觸設置。

4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述襯底(10)為硅基底，所述預設區(qū)域內(nèi)分別重摻雜形成所述第一電極(13)和所述第二電極(14)。

5.根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述第一電極(13)和所述第二電極(14)相互間隔設置，且所述第一電極(13)和所述第二電極(14)均沿同一方向延伸預定長度。

6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述封裝層(30)同時覆蓋所述發(fā)光二極管(20)、所述第一電極(13)和所述第二電極(14)。

7.根據(jù)權利要求1-6任意一項所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述封裝層(30)的材質(zhì)為在250-350nm范圍內(nèi)紫外線透過率為85％以上的聚合物。

8.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述封裝層(30)的材質(zhì)為含氟聚合物、丙烯酸酯類聚合物、環(huán)氧樹脂類聚合物或有機硅聚合物材料。

9.一種發(fā)光二極管封裝結構的封裝方法，其特征在于，包括：

提供襯底(10)，在所述襯底的第一表面(11)側(cè)的預設區(qū)域摻雜形成相互絕緣的第一電極(13)和第二電極(14)；

提供發(fā)光二極管(20)，將所述發(fā)光二極管(20)固定于所述第一表面(11)，并將發(fā)光二極管(20)的觸角分別與所述第一電極(13)和所述第二電極(14)電連接設置；

在所述發(fā)光二極管(20)上覆蓋封裝材料，并固化形成封裝層(30)。

10.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結構的封裝方法，其特征在于，在所述發(fā)光二極管(20)上滴注或旋涂所述封裝材料。