[發明專利]保護裝置在審
| 申請號： | 202010794409.0 | 申請日： | 2020-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN112349776A | 公開（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發明（設計）人： | O·奧里 | 申請（專利權）人： | 意法半導體(圖爾)公司 |
| 主分類號： | H01L29/735 | 分類號： | H01L29/735;H01L29/10;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 保護裝置 | ||
1.一種電子裝置，包括襯底，所述襯底包括：
阱；
外圍絕緣壁，橫向地圍繞所述阱；以及
至少一個橫向雙極型晶體管，形成在所述阱中，并且所述至少一個橫向雙極型晶體管具有在平行的集電極區域和發射極區域下延伸的基極區域；
所述外圍絕緣壁在平行于所述集電極區域和所述發射極區域的第一方向上被加寬，使得所述基極區域穿透到所述外圍絕緣壁中。
2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述基極區域在垂直于所述第一方向的第二方向上與所述外圍絕緣壁隔開。
3.根據權利要求1所述的裝置，其中：
所述襯底具有第一導電類型；
所述外圍絕緣壁具有所述第一導電類型；
所述基極區域具有所述第一導電類型；
所述阱具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型；并且
所述集電極區域和所述發射極區域具有所述第二導電類型。
4.根據權利要求1所述的裝置，其中所述基極區域以所述基極區域在所述第一方向上的長度的大致20％至大致50％的范圍中的距離，穿透到所述外圍絕緣壁中。
5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述基極區域以所述基極區域在所述第一方向上的長度的大致30％的距離，穿透到所述外圍絕緣壁中。
6.根據權利要求3所述的裝置，其中所述第一導電類型是p型，并且所述第二導電類型是n型。
7.根據權利要求3所述的裝置，其中所述第一導電類型是n型，并且所述第二導電類型是p型。
8.根據權利要求1所述的裝置，還包括：
第一接觸跡線，與所述集電極區域豎直地對齊；以及
第二接觸跡線，與所述發射極區域豎直地對齊。
9.一種靜電放電保護裝置，包括：
至少一個電子裝置，包括：
襯底；
阱，在所述襯底中；
外圍絕緣壁，橫向地圍繞所述阱；以及
在所述阱中的至少一個橫向雙極型晶體管，所述至少一個橫向雙極型晶體管具有集電極區域、發射極區域和基極區域，所述集電極區域和所述基極區域沿第一方向延伸，并且所述集電極區域和所述基極區域沿垂直于所述第一方向的第二方向彼此橫向地隔開，所述基極區域在所述集電極區域和所述發射極區域下延伸，
其中所述外圍絕緣壁沿所述第一方向具有延伸到所述外圍絕緣壁中的寬度。
10.根據權利要求9所述的裝置，其中所述靜電放電保護裝置具有大于5V的保持電壓和小于7V的鉗位電壓。
11.根據權利要求9所述的裝置，被配置為保護極限電壓在大致0V至大致5V之間的應用。
12.根據權利要求9所述的裝置，還包括：
輸入/輸出IO端子，電耦合到所述至少一個橫向雙極型晶體管的所述集電極區域，
其中所述至少一個橫向雙極型晶體管的所述發射極區域電耦合到電接地。
13.根據權利要求12所述的裝置，還包括：
第一齊納二極管，所述第一齊納二極管具有電連接到所述至少一個橫向雙極型晶體管的所述基極區域的陽極，所述第一齊納二極管具有電連接到所述至少一個橫向雙極型晶體管的所述集電極區域的陰極；以及
第二齊納二極管，所述第二齊納二極管具有電連接到所述至少一個橫向雙極型晶體管的所述基極區域的陽極，所述第二齊納二極管具有電連接到所述至少一個橫向雙極型晶體管的所述集電極區域的陰極。
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