[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板

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• 申請日: 2020-08-07
• 公開（公告）號: CN111785741A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設計）人: 宮奎;錢穎;張志海;李彬
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 王婷;姜春咸

1.一種陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板上的指定位置開設有用于容置指定功能組件的通孔，在所述陣列基板上，且位于所述通孔周圍環(huán)繞設置有環(huán)形阻擋結構，所述環(huán)形阻擋結構用于隔絕外界環(huán)境中的水汽經由所述通孔進入所述陣列基板。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述環(huán)形阻擋結構包括設置在所述陣列基板上的環(huán)形凸部，所述環(huán)形凸部相對于所述陣列基板的發(fā)光層向遠離所述陣列基板的襯底基板的方向凸出。

3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述環(huán)形凸部靠近所述襯底基板的端面在所述襯底基板上的正投影，位于所述環(huán)形凸部遠離所述襯底基板的端面在所述襯底基板上的正投影的邊緣內側。

4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述環(huán)形凸部的靠近所述襯底基板的端面與遠離所述襯底基板的端面之間具有收縮部，所述收縮部在所述襯底基板上的正投影位于所述環(huán)形凸部靠近所述襯底基板的端面在所述襯底基板上的正投影的邊緣內側。

5.根據(jù)權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述環(huán)形凸部包括沿遠離所述襯底基板的方向依次設置的第一子環(huán)形凸部和第二子環(huán)形凸部，所述第一子環(huán)形凸部的沿垂直所述襯底基板的方向的截面為兩個關于所述斷口對稱的第一梯形，且所述第一梯形的長邊靠近所述襯底基板；所述第二子環(huán)形凸部的沿垂直所述襯底基板的方向的截面為兩個關于所述斷口對稱的第二梯形，且所述第二梯形的短邊靠近所述襯底基板，所述第二梯形的長邊的長度大于或等于所述第一梯形的長邊的長度。

6.根據(jù)權利要求1-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述環(huán)形阻擋結構與所述陣列基板的平坦化層一體成型，所述平坦化層設置在所述陣列基板的源極漏極層與所述陣列基板的陽極層之間。

7.根據(jù)權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述環(huán)形阻擋結構位于所述陣列基板的柵極絕緣層和層間絕緣層的上方。

8.一種顯示面板，包括陣列基板和封裝結構，其特征在于，所述陣列基板為如權利要求1-7任一項所述的陣列基板。

9.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板，所述襯底基板的指定位置具有通孔，所述通孔用于放置指定功能組件；

在所述襯底基板上向遠離所述襯底基板的方向依次形成柵極層、柵極絕緣層、有源層、層間介質層及源極漏極層；

在形成所述柵極層、所述柵極絕緣層、所述有源層、所述層間介質層及所述源極漏極層中任意層之前或之后，在所述通孔周圍形成環(huán)繞所述通孔的環(huán)形阻擋結構，所述環(huán)形阻擋結構用于隔絕外界環(huán)境中的水汽經由所述通孔進入所述陣列基板。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，所述在形成所述柵極層、所述柵極絕緣層、所述有源層、所述層間介質層及所述源極漏極層中任意層之前或之后，在所述通孔周圍形成環(huán)繞所述通孔的環(huán)形阻擋結構，進一步包括：

在形成所述源極漏極層之后，在形成所述源極漏極層上形成整層膜層；

采用半色調掩膜一次形成所述平坦化層和環(huán)繞所述通孔的第一子環(huán)形凸部，所述第一子環(huán)形凸部向遠離所述襯底基板的方向凸起，且在沿垂直所述襯底基板的方向的截面為兩個關于所述通孔中軸線對稱的第一梯形，所述第一梯形的長邊靠近所述襯底基板；

在所述第一子環(huán)形凸部上形成覆蓋所述第一子環(huán)形凸部的第二子環(huán)形凸部，以形成包括所述第一子環(huán)形凸部和所述第二子環(huán)形凸部的所述環(huán)形阻擋結構，所述第二子環(huán)形凸部的沿垂直所述襯底基板的方向的截面為兩個關于所述通孔中軸線對稱的第二梯形，且所述第二梯形的短邊靠近所述襯底基板，所述第二梯形的長邊的長度大于或等于所述第一梯形的長邊的長度。