[發明專利]抗等離子體腐蝕的稀土氧化物基薄膜涂層有效
| 申請號: | 202010788490.1 | 申請日: | 2014-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN111900084B | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發明(設計)人: | J·Y·孫;B·P·卡農戈;V·菲魯茲多爾;T·趙 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/308 | 分類號: | H01L21/308;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖;張鑫 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 腐蝕 稀土 氧化物 薄膜 涂層 | ||
1.一種制品,包含:
主體;
第一保護層,所述第一保護層位于所述主體的至少一個表面上,其中所述第一保護層是具有小于1%的孔隙度的薄膜,且其中所述第一保護層包含第一陶瓷,所述第一陶瓷選自由以下各項組成的組:
Y3Al5O12,具有8.5GPa±達30%的硬度、9.76±達30%的介電常數、11.3E16Ω·cm±達30%的體電阻率、20.1W/m·K±達30%的熱導率和4.4E-10cm3/s±達30%的厄米性;
Er2O3,具有5GPa±達30%的硬度、9.67±達30%的介電常數、19.4W/m·K±達30%的熱導率和5.5E-9cm3/s±達30%的厄米性;
Er3Al5O12,具有9GPa±達30%的硬度、9.54±達30%的介電常數、19.2W/m·K±達30%的熱導率和9.5E-10cm3/s±達30%的厄米性;以及
含Y4Al2O9與Y2O3-ZrO2固體溶液的陶瓷化合物,所述陶瓷化合物具有7.825GPa±達30%的硬度、9.83±達30%的介電常數、4.1E16Ω·cm±達30%的體電阻率、19.9W/m·K±達30%的熱導率和1.2E-9cm3/s±達30%的厄米性;以及
過渡層,所述過渡層位于所述主體的所述至少一個表面與所述第一保護層之間,其中所述過渡層提供所述第一保護層與所述主體的所述至少一個表面之間的擴散粘合。
2.如權利要求1所述的制品,進一步包括:
保護層疊層,所述保護層疊層位于所述主體的所述至少一個表面上,所述保護層疊層包含至少所述第一保護層和第二保護層,所述第二保護層覆蓋所述第一保護層的至少一部分,其中,所述第二保護層是包含與所述第一陶瓷不同的第二陶瓷的薄膜,所述第二陶瓷選自由以下各項組成的組:Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12以及含Y4Al2O9與Y2O3-ZrO2固體溶液的所述陶瓷化合物。
3.如權利要求1所述的制品,其特征在于,所述第一陶瓷是Y3Al5O12。
4.如權利要求1所述的制品,其特征在于,所述第一陶瓷是Er2O3,并且其中所述第一陶瓷具有5GPa±達30%的硬度、9.67±達30%的介電常數以及19.4W/m·K±達30%的熱導率。
5.如權利要求1所述的制品,其特征在于,所述第一陶瓷是Er3Al5O12,并且其中所述第一陶瓷具有9GPa±達30%的硬度、9.54±達10%的介電常數以及19.2W/m·K±達30%的熱導率。
6.如權利要求1所述的制品,其特征在于,所述第一陶瓷是包含Y4Al2O9與Y2O3-ZrO2固體溶液的所述陶瓷化合物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





