[發明專利]非易失性存儲器裝置及其操作方法以及存儲裝置

在審

• 申請號: 202010788417.4
• 申請日: 2020-08-07
• 公開（公告）號: CN112435701A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 崔容赫;柳載德;李康斌;沈相元;任琫淳
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/24;G06F12/0882
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

1.一種非易失性存儲器裝置，包括：

存儲器單元陣列，其設置在襯底上，其中，所述存儲器單元陣列包括多個存儲器塊；

行解碼器，其通過字線連接到所述存儲器單元陣列；以及

頁緩沖器，其通過位線連接到所述存儲器單元陣列，

其中，所述多個存儲器塊中的每一個包括柱，所述柱包括設置在所述襯底上的第一部分以及設置在所述第一部分上的第二部分，

其中，所述第一部分的寬度隨著距所述襯底的距離增加而增加，并且第一導電材料和第一絕緣層圍繞所述第一部分并且在所述襯底上依次堆疊，

其中，所述第二部分的寬度隨著距所述襯底的距離增加而增加，并且第二導電材料和第二絕緣層圍繞所述第二部分并且在所述襯底上依次堆疊，

其中，第一邊界位于所述第一部分與所述第二部分之間，

其中，所述第一導電材料與所述第一部分一起形成第一存儲器單元，并且所述第二導電材料與所述第二部分一起形成第二存儲器單元，并且

其中，當在所述多個存儲器塊中的選擇的存儲器塊中基于連續地址執行編程操作時，所述行解碼器和所述頁緩沖器被配置為在順序地完成來自所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元當中的不與所述第一邊界相鄰的非相鄰存儲器單元的第一編程操作之后完成與所述第一邊界相鄰的相鄰存儲器單元的第二編程操作。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述相鄰存儲器單元包括來自所述第一存儲器單元當中的最靠近所述第一邊界的存儲器單元。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述第一編程操作包括來自所述非相鄰存儲器單元當中的屬于所述第一部分的第一非相鄰存儲器單元的第三編程操作以及來自所述非相鄰存儲器單元當中的屬于所述第二部分的第二非相鄰存儲器單元的第四編程操作，

其中，所述第二編程操作包括1步編程操作和2步編程操作，并且

其中，所述行解碼器和所述頁緩沖器還被配置為：

完成所述第三編程操作和所述第四編程操作中的一個；

執行所述1步編程操作；

完成所述第三編程操作和所述第四編程操作中的另一個；

然后執行所述2步編程操作。

4.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述相鄰存儲器單元包括來自所述第二存儲器單元當中的最靠近所述第一邊界的存儲器單元。

5.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述相鄰存儲器單元包括來自所述第一存儲器單元當中的最靠近所述第一邊界的存儲器單元以及來自所述第二存儲器單元當中的最靠近所述第一邊界的存儲器單元。

6.根據權利要求5所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述第一編程操作包括來自所述非相鄰存儲器單元當中的屬于所述第一部分的第一非相鄰存儲器單元的第三編程操作以及來自所述非相鄰存儲器單元當中的屬于所述第二部分的第二非相鄰存儲器單元的第四編程操作，

其中，所述第二編程操作包括第一相鄰存儲器單元的第五編程操作以及第二相鄰存儲器單元的第六編程操作，

其中，所述第五編程操作和所述第六編程操作中的每一個包括1步編程操作和2步編程操作，并且

其中，所述行解碼器和所述頁緩沖器還被配置為：

完成所述第三編程操作和所述第四編程操作中的一個；

執行所述第五編程操作和所述第六編程操作中的每一個的1步編程操作；

完成所述第三編程操作和所述第四編程操作中的另一個；

然后執行所述第五編程操作和所述第六編程操作中的每一個的2步編程操作。

7.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述柱還包括堆疊在所述第二部分上的第三部分，

其中，所述第三部分的寬度隨距所述襯底的距離增加而增加，并且第三導電材料和第三絕緣層圍繞所述第三部分并且在所述襯底上依次堆疊，

其中，第二邊界位于所述第二部分與所述第三部分之間，并且

其中，所述第三導電材料與所述第三部分一起形成第三存儲器單元。