[發明專利]制造半導體元件的方法

在審

• 申請號: 202010788008.4
• 申請日: 2020-08-07
• 公開（公告）號: CN112864002A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 陳彥豪;賴韋翰;張慶裕;林進祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種制造半導體元件的方法，其特征在于，包括：

在基板的經圖案化表面上形成第一平坦化材料的第一層；

交聯該第一平坦化材料的一部分；

在該第一平坦化材料的該第一層上形成第二平坦化材料的第二層；

交聯該第二平坦化材料的一部分；以及

移除該第二平坦化材料中未經交聯的一部分。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括在移除該第二平坦化材料中未經交聯的該部分之后，在該第二平坦化材料上形成第三平坦化材料的第三層。

3.如權利要求1所述的方法，其中該第一平坦化材料包括旋涂碳及酸或酸產生劑。

4.如權利要求3所述的方法，其中該酸產生劑是熱酸產生劑或光酸產生劑。

5.如權利要求4所述的方法，其中該光酸產生劑包括化學式

其中R是芳香族碳環、或直鏈或環狀烷基、烷氧基、或具有1至6個碳的氟代鏈、或直鏈或環狀烯烴、炔烴、羥基、酮類、醛類、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺類、亞胺、酰亞胺、迭氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或具有1至6個碳的硫醇官能團，及R及R2包含-Cl；-Br；-I；-NO₂；-SO₃；-H；-CN；-NCO、-OCN；-CO₂；-OH；-OR*、-OC(O)CR*；-SR、-SO₂N(R*)₂；-SO₂R*；SOR；-OC(O)R*；-C(O)OR*；-C(O)R*；Si(OR*)₃；-Si(R*)₃；或環氧基，其中R*是H、一無支鏈的或有支鏈的、環狀或非環狀飽和或不飽和烷基或烯基或炔基。

6.如權利要求1所述的方法，其中交聯該第二平坦化材料的一部分包括將酸從該第一層擴散至該第二層。

7.如權利要求6所述的方法，其中藉由在約90℃至約400℃的溫度范圍內加熱該第一層及該第二層來將該酸從該第一層擴散至該第二層。

8.一種制造半導體元件的方法，其特征在于，包括：

在基板的經圖案化表面上形成第一旋涂碳層；

交聯該第一旋涂碳層的一部分；

在該第一旋涂碳層上形成第二旋涂碳層；

交聯該第二旋涂碳層的一部分；

移除該第二旋涂碳層中未經交聯的一部分；以及

在移除該第二旋涂碳層中未經交聯的該部分之后，在該第二旋涂碳層上形成平坦化層。

9.如權利要求8所述的方法，其中在形成該第一旋涂碳層時，該第一旋涂碳層包括酸、熱酸產生劑、或光酸產生劑，以及在形成該第二旋涂碳層時，該第二旋涂碳層不包括酸、熱酸產生劑、或光酸產生劑。

10.一種制造半導體元件的方法，其特征在于，包括：

在基板的經圖案化表面上形成第一平坦化層，

其中該第一平坦化層包括旋涂碳及熱酸產生劑或光酸產生劑；

交聯該第一平坦化層的一部分；

在該第一平坦化層上形成第二平坦化層，

其中該第二平坦化層包括旋涂碳，及該第二平坦化層不包括熱酸產生劑或光酸產生劑；

從該熱酸產生劑或該光酸產生劑在該第一平坦化層中產生酸；

將該酸從該第一平坦化層擴散至該第二平坦化層；

交聯該第二平坦化層的一部分；

移除該第二旋涂平坦化層中未經交聯的一部分；以及

在移除該第二旋涂平坦化層中未經交聯的該部分之后，在該第二平坦化層上形成第三平坦化層。