[發明專利]超寬譜吸波材料及其制備方法

有效

• 申請號: 202010787910.4
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN112020294B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 李虎權;聶晶;周福蘭;伍連保
• 申請（專利權）人: 深圳市佳晨科技有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 陸軍

1.一種超寬譜吸波材料，其特征在于，包括金屬背板、相疊于所述金屬背板上的多個吸波結構層以及多個介電層，且相鄰的兩個所述吸波結構層之間具有介電層；每一所述吸波結構層分別包括有多個呈周期性排布的吸波單元，每一所述吸波單元包括一個電阻膜結構，且多個所述吸波結構層的吸波單元的垂向投影相同；多個所述吸波結構層的電阻膜結構分別呈預設環狀的幾何形狀設置，且相鄰的兩個所述吸波結構層的電阻膜結構的大小和/或幾何形狀不相同，并通過具有不同大小和/或幾何形狀的電阻膜結構吸收不同頻譜的電磁波；

所述多個吸波結構層包括第一吸波結構層、第二吸波結構層、第三吸波結構層、第四吸波結構層和第五吸波結構層，所述第一吸波結構層上的電阻膜結構分別呈圓環形，所述第二吸波結構層上的電阻膜結構分別呈方環形，所述第三吸波結構層上的電阻膜結構分別呈環狀的六邊形，所述第四吸波結構層上的電阻膜結構分別呈方環形，所述第五吸波結構層上的電阻膜結構分別呈環狀的橢圓形。

2.根據權利要求1所述的超寬譜吸波材料，其特征在于，每一所述吸波結構層均包括絕緣膜，且每一所述吸波結構層的多個電阻膜結構分別通過絲印工藝固定連接在所述絕緣膜上。

3.根據權利要求1所述的超寬譜吸波材料，其特征在于，所述第一吸波結構層、第二吸波結構層、第三吸波結構層、第四吸波結構層和第五吸波結構層依次相疊于所述金屬背板上，且所述第一吸波結構層位于所述第五吸波結構層背向所述金屬背板的一側；

所述第二吸波結構層的電阻膜結構的尺寸大于或等于所述第一吸波結構層的電阻膜結構的尺寸；

所述第三吸波結構層上的電阻膜結構的尺寸大于或等于所述第二吸波結構層上的電阻膜結構的尺寸；所述第四吸波結構層上的電阻膜結構的尺寸大于所述第二吸波結構層上的電阻膜結構的尺寸；所述第五吸波結構層上的電阻膜結構的尺寸大于或等于所述第四吸波結構層上的電阻膜結構的尺寸。

4.根據權利要求3所述的超寬譜吸波材料，其特征在于，每一所述吸波結構層的方阻為50-1000Ω/□；

所述第二吸波結構層的方阻大于所述第一吸波結構層的方阻、小于所述第三吸波結構層的方阻，所述第四吸波結構層的方阻與所述第三吸波結構層的方阻相等、大于所述第五吸波結構層的方阻。

5.根據權利要求4所述的超寬譜吸波材料，其特征在于，所述第一吸波結構層背向所述第二吸波結構層的一側設有一個所述介電層，以隔斷所述第一吸波結構層與外部空氣的接觸，起到保護作用；所述第五吸波結構層和金屬背板之間由一個所述介電層間隔分開；

所述第一吸波結構層上的電阻膜結構的方阻為326Ω/□，所述第二吸波結構層上的電阻膜結構的方阻為490Ω/□，所述第三吸波結構層上的電阻膜結構的方阻為600Ω/□，所述第四吸波結構層上的電阻膜結構的方阻為600Ω/□，所述第五吸波結構層上的電阻膜結構的方阻為62Ω/□。

6.根據權利要求5所述的超寬譜吸波材料，其特征在于，所述多個介電層的介電常數均為1.02-1.14，且相鄰的兩個所述吸波結構層之間的介電層的厚度分別為2.5mm；位于所述第一吸波結構層背向所述第二吸波結構層的一側的介電層的厚度為2mm；位于所述第五吸波結構層和金屬背板之間的介電層的厚度為2mm；所述超寬譜吸波材料的厚度小于20mm。

7.根據權利要求1所述的超寬譜吸波材料，其特征在于，所述金屬背板、介電層和吸波結構層之間分別通過固定膠連接在一起。

8.一種如權利要求1-7中任一項所述的超寬譜吸波材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

a：在吸波結構層和介電層的表面添加低溫固化膠；

b：將多個吸波結構層和多個介電層按預設排列順序相疊排布，并通過抽真空裝置抽真空后靜置預設時間；

c：通過烘箱設備加溫，完成超寬譜吸波材料的制備。