[發(fā)明專利]陣列基板以及液晶顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010787657.2
• 申請日: 2020-08-07
• 公開（公告）號: CN112002703B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃建龍
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

本申請?zhí)峁┮环N陣列基板，其包括襯底以及設(shè)置于所述襯底上的一薄膜晶體管以及一金屬連接層，所述薄膜晶體管包括有源層、柵極以及源極和漏極，所述柵極與所述金屬連接層電連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板以及液晶顯示面板。

背景技術(shù)

在顯示面板中，隨著分辨率或者尺寸以及頻率的提高，對充電率的要求也隨之升高。為提升充電率，增加?xùn)艠O(GateElectrode，GE)膜層厚度及寬度是目前的主流方向。通過增加GE膜厚或者GE寬度，雖然可以在一定程度上提升充電率，但膜層增加容易導(dǎo)致應(yīng)力增加，提升破片的風(fēng)險。而GE寬度還受到開口率以及其他電性因素限制。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請目的在于提供一種能夠提高充電率的陣列基板以及液晶顯示面板。

本申請?zhí)峁┮环N陣列基板，其包括襯底以及設(shè)置于所述襯底上的一薄膜晶體管以及一金屬連接層，所述薄膜晶體管包括有源層、柵極以及源極和漏極，所述柵極與所述金屬連接層電連接。

在一種實施方式中，，所述金屬連接層與所述柵極位于不同層。

在一種實施方式中，所述陣列基板還包括設(shè)置于所述襯底上的遮光層和覆蓋所述遮光層的緩沖層，所述緩沖層對應(yīng)于所述有源層設(shè)置，所述金屬連接層為所述遮光層。

在一種實施方式中，所述遮光層包括與所述柵極電連接的第一部分和與所述第一部分絕緣的第二部分，所述第一部分設(shè)置于所述柵極的正下方。

在一種實施方式中，所述遮光層包括位于所述第一部分兩側(cè)的兩個第二部分，所述有源層包括半導(dǎo)體區(qū)和位于所述半導(dǎo)體區(qū)兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)，兩個所述第二部分與所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)一一對應(yīng)設(shè)置。

在一種實施方式中，所述柵極與所述遮光層沿第一方向延伸，所述第一部分與所述第二部分在第二方向上間隔設(shè)置，所述遮光層在第二方向上的寬度大于所述柵極在第二方向上的寬度且小于所述有源層在所述第二方向上的寬度。

在一種實施方式中，所述柵極與所述遮光層之間設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層中開設(shè)有一通孔，所述柵極填充于所述過孔中并在所述過孔中與所述遮光層連接。

在一種實施方式中，所述金屬連接層包括層疊設(shè)置的第一遮光層和第二遮光層，所述第一遮光層和第二遮光層對應(yīng)于所述薄膜晶體管的有源層設(shè)置，所述第一遮光層與所述第二遮光層之間具有絕緣層。

在一種實施方式中，所述金屬連接層與所述源極和所述漏極同層設(shè)置，或者與所述柵極同層設(shè)置。

一種顯示面板，包括陣列基板，所述陣列基板包括襯底以及設(shè)置于所述襯底上的一薄膜晶體管以及一金屬連接層，所述薄膜晶體管包括有源層、柵極以及源極和漏極，所述柵極與所述金屬連接層電連接。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本申請的顯示面板通過使薄膜晶體管的柵極與遮光層電連接，增加了柵極的厚度，提高了柵極充電率。此外，還通過將遮光層設(shè)計為三段式結(jié)構(gòu)，能夠避免柵極通電對溝道區(qū)的影響。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請中的技術(shù)方案，下面將對實施方式描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施方式，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請第一實施方式提供的顯示面板的示意圖。

圖2為圖1的顯示面板的陣列基板的剖面示意圖。

圖3為圖1的顯示面板的陣列基板的俯視圖。

圖4為本申請另一實施方式的顯示面板的陣列基板的剖面示意圖。

圖5為本申請又一實施方式的顯示面板的陣列基板的剖面示意圖。

具體實施方式