[發(fā)明專利]液晶顯示面板的制作方法及液晶顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010787455.8
• 申請(qǐng)日: 2020-08-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111965874A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 苗杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1333
• 分類號(hào): G02F1/1333;G02F1/1341;G02F1/1337;B01D11/02
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種液晶顯示面板的制作方法及液晶顯示面板。通過(guò)提供陣列基板、彩膜基板以及液晶材料，液晶材料包括液晶分子和反應(yīng)性單體；將陣列基板和彩膜基板對(duì)向貼合，在陣列基板和彩膜基板之間滴注液晶材料，以得到液晶盒；利用紫外光對(duì)述液晶盒進(jìn)行兩次紫外光照射，使液晶分子形成預(yù)傾角，以形成液晶層；利用超臨界流體對(duì)液晶層進(jìn)行萃取操作，以所述液晶層中的反應(yīng)性單體這一技術(shù)手段，在紫外光照射后增加一道萃取制程，通過(guò)超臨界流體選擇性的萃取掉液晶層中殘留的反應(yīng)性單體，從而可以改善液晶顯示面板的影像殘留現(xiàn)象。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種液晶顯示面板的制作方法及液晶顯示面板。

背景技術(shù)

目前，液晶顯示器(LCD,Liquid crystal displays)是一種被廣泛應(yīng)用的平板顯示器，液晶是液晶顯示器中的重要一環(huán)。而反應(yīng)性單體(RM，Reactive mesogen)是液晶中的關(guān)鍵成分。而在現(xiàn)有的液晶顯示器關(guān)于液晶顯示面板的制備過(guò)程中，一般采用VA模式進(jìn)行配向。其中，VA模式是一種垂直配向顯示模式，在此配向過(guò)程中，液晶極化并傾倒，靠近PI表面的液晶傾倒一定的角度；然后紫外光引發(fā)RM發(fā)生反應(yīng)，在PI表面聚合形成長(zhǎng)鏈分子，使靠近PI表面的液晶形成一定的預(yù)傾角。

在采用VA模式進(jìn)行配向的過(guò)程中，需要先經(jīng)過(guò)第一次紫外光照射使液晶分子形成預(yù)傾角，然后再經(jīng)過(guò)第二次紫外光照射使液晶層中反應(yīng)性單體反應(yīng)完全，但是，實(shí)際情況是，在進(jìn)行完第二次紫外光照射后，反應(yīng)性單體無(wú)法反應(yīng)完全；而反應(yīng)性單體殘留量的多少會(huì)對(duì)液晶顯示面板的影像殘留有明顯的影響，反應(yīng)性單體殘留量越多，液晶顯示面板的影像殘留現(xiàn)象越嚴(yán)重，反應(yīng)性單體殘留量越少，液晶顯示面板的影像現(xiàn)象殘留越輕微。

因此，怎樣減少液晶顯示面板液晶層中的反應(yīng)性單體的殘留量是全世界面板廠家正在努力攻克的難關(guān)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種液晶顯示面板的制作方法及液晶顯示面板，可以減少液晶顯示面板液晶層中的反應(yīng)性單體的殘留量，從而改善液晶顯示面板的影像殘留現(xiàn)象。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種液晶顯示面板的制作方法，所述制作方法包括：

提供陣列基板、彩膜基板以及液晶材料，所述液晶材料包括液晶分子和反應(yīng)性單體；

將所述陣列基板和所述彩膜基板對(duì)向貼合，在所述陣列基板和所述彩膜基板之間滴注所述液晶材料，以得到液晶盒；

利用紫外光對(duì)所述液晶盒進(jìn)行第一次紫外光照射，以使所述液晶分子形成預(yù)傾角；

利用紫外光對(duì)所述液晶盒進(jìn)行第二次紫外光照射，使所述液晶分子形成的預(yù)傾角穩(wěn)定，以形成液晶層；

利用超臨界流體對(duì)所述液晶層進(jìn)行萃取操作，以除去所述液晶層中的所述反應(yīng)性單體，其中，所述超臨界流體是溫度、壓力均高于CO₂流體臨界狀態(tài)的流體，所述CO₂流體臨界狀態(tài)為溫度等于26.85攝氏度以及壓力等于10兆帕。

在本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊壕э@示面板的制作方法中，所述利用超臨界流體對(duì)所述液晶層進(jìn)行萃取操作，以除去所述液晶層中的所述反應(yīng)性單體的步驟包括：

制備超臨界流體，以使所述超臨界流體的溶解度與所述反應(yīng)性單體所匹配；

在室溫條件下對(duì)所述液晶層進(jìn)行萃取操作，以除去所述液晶層中的所述反應(yīng)性單體，所述室溫為溫度處于30-40攝氏度之間。

在本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊壕э@示面板的制作方法中，制備超臨界流體，以使所述超臨界流體的溶解度與所述反應(yīng)性單體所匹配的步驟包括：

調(diào)節(jié)超臨界流體所處環(huán)境的壓力以及溫度，以改變所述超臨界流體的密度，進(jìn)而改變所述超臨界流體的溶解度，使所述超臨界流體的溶解度與所述反應(yīng)性單體所匹配。