[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202010786597.2 | 申請日: | 2020-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN111900190A | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 田雪雁;王純陽 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鵬;解婷婷 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本公開提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。顯示基板包括設置在基底上的發光單元層和設置在所述發光單元層上的反射層,所述發光單元層包括多個對應不同顏色的發光單元,所述反射層上設置有與多個發光單元一一對應的透光孔;所述反射層遠離基底的一側設置有光調制層,所述光調制層被配置為反射藍光波段的部分光線,透射藍光波段以外波段的光線。本公開通過在鏡面顯示基板中設置光調制層,光調制層被配置為反射藍光波段的部分光線,透射藍光波段以外波段的光線,不僅實現了防藍光功能,而且保證了顯示亮度,有效解決了現有顯示裝置存在藍光傷害的問題。
技術領域
本發明涉及但不限于顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡稱LCD)和有機發光二極管(OrganicLight Emitting Diode,簡稱OLED)是平面顯示的主流顯示技術,LCD具有體積小、功耗低、無輻射等特點,OLED為主動發光顯示器件,具有自發光、廣視角、高對比度、較低耗電、極高反應速度等優點。
隨著顯示技術的快速發展,具有多功能的顯示裝置不斷出現,其中包括實現顯示和鏡子功能的鏡面顯示裝置。鏡面顯示是指使用者在使用鏡子的同時,可以從鏡子的顯示器中看到顯示畫面,以滿足人們的多種需求。
目前,LCD和OLED出射光線的波段約在380nm~780nm之間,380nm~500nm之間的短波波段稱為藍光波段。藍光是一種高能可見光,可直接穿透角膜和晶狀體,直達眼底黃斑區,加速黃斑區細胞氧化,對視網膜造成光化學損傷,對兒童視網膜影響更為嚴重。因此,如何減少顯示器中藍光傷害是目前亟待解決的問題。
發明內容
以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。
本公開所要解決的技術問題是,提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,以解決現有顯示裝置存在藍光傷害的問題。
為了解決上述技術問題,本公開提供了一種顯示基板,包括設置在基底上的發光單元層和設置在所述發光單元層上的反射層,所述發光單元層包括多個對應不同顏色的發光單元,所述反射層上設置有與多個發光單元一一對應的透光孔;所述反射層遠離基底的一側設置有光調制層,所述光調制層被配置為反射藍光波段的部分光線,透射藍光波段以外波段的光線。
在一些可能的實現方式中,所述反射層包括形成有色鏡面顯示的金屬和氧化物的復合結構,或金屬和化合物的復合結構。
在一些可能的實現方式中,所述金屬和氧化物的復合結構或金屬和化合物的復合結構中的金屬包括如下任意一種或多種:鉬、鋁和鈦,氧化物包括如下任意一種或多種:鉬氧化物、銅氧化物和鈮氧化物,化合物包括金屬基復合材料。
在一些可能的實現方式中,所述顯示基板還包括光學膠層和封蓋層,所述光調制層設置在所述反射層上,所述光學膠層設置在所述光調制層上,所述封蓋層設置在所述光學膠層上。
在一些可能的實現方式中,所述顯示基板還包括封蓋層,所述封蓋層設置在所述反射層遠離基底的一側;所述光調制層設置在所述封蓋層鄰近基底一側的表面上,或者,所述光調制層設置在所述封蓋層遠離基底一側的表面上。
在一些可能的實現方式中,所述光調制層包括疊設的多個子層,所述多個子層包括具有第一折射率的第一折射率層和具有第二折射率的第二折射率層,所述多個子層中的第一折射率層和第二折射率層交替設置,所述第一折射率大于所述第二折射率。
在一些可能的實現方式中,所述光調制層包括疊設的第一子層、第二子層和第三子層;或者,所述光調制層包括疊設的的第一子層、第二子層、第三子層、第四子層和第五子層;
所述第一子層、第三子層和第五子層為具有第一折射率的第一折射率層,所述第二子層和第四子層為具有第二折射率的第二折射率層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





