[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202010786584.5 | 申請日: | 2020-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN111900189A | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 田雪雁;史世明;王純陽;劉政;李良堅;陳登云 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鵬;解婷婷 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括設置在基底上的發光單元層和設置在所述發光單元層上的鏡面層;所述鏡面層遠離基底的一側設置有光調制層,所述光調制層被配置為形成設定顏色的鏡面顯示。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述鏡面層包括反射層,所述反射層上設置有與多個發光單元一一對應的透光孔;或者,所述鏡面層包括半透半反層。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括光學膠層和封蓋層,所述光調制層設置在所述鏡面層上,所述光學膠層設置在所述光調制層上,所述封蓋層設置在所述光學膠層上。
4.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括封蓋層,所述封蓋層設置在所述鏡面層遠離基底的一側;所述光調制層設置在所述封蓋層鄰近基底一側的表面上,或者,所述光調制層設置在所述封蓋層遠離基底一側的表面上。
5.根據權利要求1~4任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述光調制層包括疊設的多個子層,所述多個子層包括具有第一折射率的第一折射率層和具有第二折射率的第二折射率層,所述多個子層中的第一折射率層和第二折射率層交替設置,所述第一折射率大于所述第二折射率。
6.根據權利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述光調制層包括疊設的第一子層、第二子層和第三子層;或者,所述光調制層包括疊設的的第一子層、第二子層、第三子層、第四子層和第五子層;
所述第一子層、第三子層和第五子層為具有第一折射率的第一折射率層,所述第二子層和第四子層為具有第二折射率的第二折射率層。
7.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子層的厚度為40nm~140nm,所述第二子層的厚度為40nm~220nm,所述第三子層的厚度為40nm~140nm,所述第四子層的厚度為40nm~220nm,所述第五子層的厚度為40nm~140nm。
8.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述光調制層包括疊設的第一子層、第二子層和第三子層時,
對于反射層的材料包括鋁,所述第一子層的厚度為40nm~90nm,所述第二子層的厚度為90nm~110nm,所述第三子層的厚度為40nm~90nm;或者,所述第一子層的厚度為70nm~140nm,所述第二子層的厚度為190nm~210nm,所述第三子層的厚度為70nm~140nm;
對于反射層的材料包括鉬,所述第一子層的厚度為70nm~140nm,所述第二子層的厚度為90nm~110nm,所述第三子層的厚度為70nm~140nm;或者,所述第一子層的厚度為80nm~140nm,所述第二子層的厚度為190nm~210nm,所述第三子層的厚度為80nm~140nm。
9.根據權利要求5所述的顯示基板,其特征在于,在可見光范圍內,所述第一折射率為1.6~2.5,所述第二折射率為1.3~1.5。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1~9任一項所述的顯示基板。
11.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括:
在基底上依次形成發光單元層和設置在所述發光單元層上的鏡面層;
形成光調制層,所述光調制層被配置為形成設定顏色的鏡面顯示。
12.根據權利要求11所述的制備方法,其特征在于,形成光調制層,包括:
在所述鏡面層上依次形成第一子層、第二子層和第三子層;或者,在所述鏡面層上依次形成第一子層、第二子層、第三子層、第四子層和第五子層;
所述第一子層、第三子層和第五子層為具有第一折射率的第一折射率層,所述第二子層和第四子層為具有第二折射率的第二折射率層,所述第一折射率大于所述第二折射率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





