[發(fā)明專利]一種超聲相控陣換能器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010785959.6
• 申請(qǐng)日: 2020-08-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112284514A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王祥達(dá);朱波;何建方;滕世國(guó);李建霖;郭甲;李萍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 韶關(guān)東陽(yáng)光自動(dòng)化設(shè)備有限公司
• 主分類號(hào): G01H11/08
• 分類號(hào): G01H11/08
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 陳嘉毅

1.一種超聲相控陣換能器，其特征在于，包括殼體(1)和設(shè)置于殼體(1)內(nèi)的多個(gè)換能器模塊(2)，所述多個(gè)換能器模塊(2)拼接排列形成換能器陣列，所述每個(gè)換能器模塊(2)包括順次連接的背襯層(3)、共地電極層(4)、壓電模塊層(5)、輻射電極層(6)、匹配層(7)；所述壓電模塊層(5)包括基板(51)和設(shè)置于基板(51)一面上的晶體陣列，晶體陣列包括多個(gè)陣元(52)，所述輻射電極層(6)包括與所述陣元(52)數(shù)量對(duì)應(yīng)的多個(gè)輻射電極，所述每個(gè)輻射電極包括電極板(61)和固定設(shè)置在所述電極板(61)上的引腳(62)，所述電極板(61)固定覆蓋在所述陣元(52)頂面，所述引腳(62)穿過(guò)所述基板(51)和共地電極層(4)與所述背襯層(3)固定連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種超聲相控陣換能器，其特征在于，所述基板(51)上設(shè)置有與所述陣元(52)數(shù)目相對(duì)應(yīng)的第一通孔(53)，所述共地電極層(4)設(shè)置有與所述第一通孔(53)位置、數(shù)量對(duì)應(yīng)的第二通孔(41)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超聲相控陣換能器，其特征在于，所述背襯層(3)上設(shè)置有與所述第二通孔(41)配合的凸起(31)，所述凸起(31)上設(shè)置有與所述引腳(62)對(duì)應(yīng)且貫穿所述背襯層(3)的第三通孔(32)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超聲相控陣換能器，其特征在于，所述引腳(62)的一端與所述電極板(61)的側(cè)壁固定連接，另一端穿過(guò)所述第一通孔(53)、第二通孔(41)、第三通孔(32)，且與所述第三通孔(32)緊密連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超聲相控陣換能器，其特征在于，所述匹配層(7)設(shè)置有與所述陣元(52)數(shù)量對(duì)應(yīng)的第一凹槽(71)，所述第一凹槽(71)的側(cè)壁上設(shè)置有與所述引腳(62)配合的第二凹槽(72)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超聲相控陣換能器，其特征在于，所述第一通孔(53)位于所述陣元(52)的同一側(cè)方。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超聲相控陣換能器，其特征在于，所述第二通孔(41)的面積大于所述第一通孔(53)的面積。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超聲相控陣換能器，其特征在于，所述壓電模塊層(5)的材料為壓電陶瓷、壓電晶體、復(fù)合壓電物質(zhì)中的一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超聲相控陣換能器，其特征在于，所述多個(gè)換能器模塊(2)排列的形式為平面陣列、球面陣列、曲面陣列、不規(guī)則陣列中的一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一所述的一種超聲相控陣換能器，其特征在于，所述每個(gè)陣元(52)的形狀為立方體、圓柱體、棱臺(tái)中的一種或多種。