[發明專利]一種太陽能電池及制備方法有效
| 申請號： | 202010785299.1 | 申請日： | 2020-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN112018208B | 公開（公告）日： | 2022-10-04 |
| 發明（設計）人： | 徐琛 | 申請（專利權）人： | 隆基綠能科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0747 | 分類號： | H01L31/0747;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人： | 趙娟 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括硅基底、和位于所述硅基底的向光側的前表面場層；
所述前表面場層包括形成在所述硅基底上的第一本征非晶硅層，以及在所述第一本征非晶硅層上依次層疊的第一N型硅氧層、第二N型硅氧層和第一透明導電層；
所述第一N型硅氧層的含氧量小于所述第二N型硅氧層的含氧量，所述第二N型硅氧層具有鏤空結構；所述第一透明導電層通過所述第二N型硅氧層的鏤空結構與所述第一N型硅氧層相接觸。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一N型硅氧層的含氧量不大于35％。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二N型硅氧層的含氧量大于或等于10％，且小于或等于60％。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一N型硅氧層與所述第一透明導電層接觸區域的面積，占所述第一N型硅氧層總面積的2％～30％。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一N型硅氧層的厚度為5nm-15nm；所述第二N型硅氧層的厚度為5nm-15nm。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池還包括位于所述硅基底的背光側的背表面場層；所述背表面場層包括在所述硅基底的背光側依次層疊的第二本征非晶硅層、摻雜非晶硅層和第二透明導電層。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅基底為N型硅基底；所述第一N型硅氧層與所述第二N型硅氧層為微晶硅氧層或納晶硅氧層。
8.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
提供硅基底；
在所述硅基底的向光側形成第一本征非晶硅層；
在所述第一本征非晶硅層上形成第一N型硅氧層；
在所述第一N型硅氧層上形成第二N型硅氧層；所述第二N型硅氧層具有鏤空結構；所述第一N型硅氧層的含氧量小于所述第二N型硅氧層的含氧量；
在所述第二N型硅氧層上形成第一透明導電層。
9.根據權利要求8所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第二N型硅氧層通過掩膜方式沉積。
10.根據權利要求8所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，形成所述第一N型硅氧層與形成所述第二N型硅氧層的反應氣體包括硅烷、二氧化碳、氫氣以及磷化氫。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
