[發(fā)明專利]一種將高電壓域信號轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妷河蛐盘柕碾娖睫D(zhuǎn)換電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010785125.5
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN111900975A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設計）人: 韋援豐;陳柱佳
• 申請（專利權）人: 中科億海微電子科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京市中聞律師事務所 11388
• 代理人: 馮夢洪

1.一種將高電壓域信號轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妷河蛐盘柕碾娖睫D(zhuǎn)換電路，其特征在于：其包括：輸入信號生成電路、差分輸入對、鏡像負載電路；輸入信號生成電路向差分輸入對提供兩路高電壓域信號，差分輸入對包括n對NMOS管，鏡像負載電路包括n對PMOS管，n為正整數(shù)；

一路高電壓域信號接一對NMOS管之一的柵極且該NMOS管的漏極連接至一對PMOS管之一的漏極和柵極及該對PMOS管之二的柵極，另一路高電壓域信號接該對NMOS管之二的柵極，該對NMOS管之二的漏極和該對PMOS管之二的漏極相連接形成輸出，兩個NMOS管的源極接地，兩個PMOS管的源極接低壓域電源。

2.根據(jù)權利要求1所述的將高電壓域信號轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妷河蛐盘柕碾娖睫D(zhuǎn)換電路，其特征在于：n＝1時，所述輸入信號生成電路包括第一NMOS管(MN0_HV)、第一PMOS管(MP0_HV)，第一NMOS管(MN0_HV)、第一PMOS管(MP0_HV)組成反向器、工作在高電壓區(qū)域；所述差分輸入對包括第二NMOS管(MN1_HV)、第三NMOS管(MN2_HV)；所述鏡像負載電路包括第二PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP2)，工作在低電壓區(qū)域；第一NMOS管源極與地連接、第一PMOS管源極與高壓域電源(HV)連接，第一NMOS管柵極及第一PMOS管柵極同時連接至輸入信號(IN)，第一NMOS管漏極及第一PMOS管漏極相連接后輸出至第三NMOS管的柵極，第二NMOS管與第三NMOS管的源極連接至地，第二NMOS管的柵極連接至輸入信號(IN)、漏極連接至第二PMOS管的漏極和柵極及第三PMOS管的柵極，第三PMOS管及第二PMOS管的漏極與低壓域電源(LV)連接，第三NMOS管的漏極與第三PMOS管的漏極相連接形成輸出信號(OUT)。

3.根據(jù)權利要求2所述的將高電壓域信號轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妷河蛐盘柕碾娖睫D(zhuǎn)換電路，其特征在于：第二NMOS管(MN1_HV)、第三NMOS管(MN2_HV)的尺寸相同或不同。

4.根據(jù)權利要求1所述的將高電壓域信號轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妷河蛐盘柕碾娖睫D(zhuǎn)換電路，其特征在于：n＝2時，所述輸入信號生成電路包括正向輸入信號(IN+)、反向輸入信號(IN-)；所述差分輸入對包括第一對NMOS管的第二NMOS管(MN1_HV)、第三NMOS管(MN2_HV)和第二對NMOS管的第四NMOS管(MN3_HV)、第五NMOS管(MN4_HV)，第二NMOS管與第四NMOS管尺寸相同，第三NMOS管與第五NMOS管尺寸相同；所述鏡像負載電路包括第一對PMOS管的第二PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP2)和第二對PMOS管的第四PMOS管(MP3)、第五PMOS管(MP4)，第二PMOS管和第四PMOS管尺寸相同，第三PMOS管和第五PMOS管尺寸相同；第二NMOS管與第三NMOS管的源極連接至地，第二NMOS管的柵極連接至正向輸入信號、漏極連接至第二PMOS管的漏極和柵極及第三PMOS管的柵極，第三PMOS管及第二PMOS管的漏極與低壓域電源(LV)連接，第三NMOS管的柵極連接至反向輸入信號、第三NMOS管的漏極與第三PMOS管的漏極相連接形成正向輸出(OUT+)；第四NMOS管與第五NMOS管的源極連接至地，第四NMOS管的柵極連接至反向輸入信號、漏極連接至第四PMOS管的漏極和柵極及第五PMOS管的柵極，第四PMOS管及第五PMOS管的漏極與低壓域電源連接，第五NMOS管的柵極連接至正向輸入信號、第五NMOS管的漏極與第五PMOS管的漏極相連接形成反向輸出(OUT-)。

5.根據(jù)權利要求4所述的將高電壓域信號轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妷河蛐盘柕碾娖睫D(zhuǎn)換電路，其特征在于：第二NMOS管(MN1_HV)、第三NMOS管(MN2_HV)的尺寸相同或不同；第四NMOS管(MN3_HV)、第五NMOS管(MN4_HV)的尺寸相同或不同。

6.根據(jù)權利要求1所述的將高電壓域信號轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妷河蛐盘柕碾娖睫D(zhuǎn)換電路，其特征在于：第二NMOS管和第三NMOS管為耐高電壓域電壓的MOS器件。