[發(fā)明專利]增強瞬態(tài)特性的自適應遲滯控制變換器、控制方法及設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010784900.5
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN111900878A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設計）人: 孫凱;周小虎
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市凱冠智能科技有限公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158
• 代理公司: 深圳市智勝聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44368
• 代理人: 齊文劍

1.一種增強瞬態(tài)特性的自適應遲滯控制變換器，所述變換器用于將輸入電能變換成負載所需的電壓或電流可控的電能，包括補償單元，輸入單元，處理單元和比較單元，其特征在于，所述補償單元和所述處理單元分別與所述輸入單元和比較單元連接；

其中，所述補償單元包括，MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、運算放大器OP3、電容C2、電容C3、電感L和電阻R1；

所述MOS管M3漏端及柵端分別與輸入單元連接，

所述MOS管M3的柵端分別與所述MOS管M4的柵端、所述運算放大器OP3的輸出端和所述運算放大器OP3的正向輸入端連接，

所述MOS管M3的源端分別與所述MOS管M5的柵端及漏端、所述MOS管M4的漏端、所述電感L的一端和所述輸入單元連接，

所述MOS管M4的源端分別與所述電容C2的一端和所述電容C3的一端連接，

所述MOS管M5的源端與所述電容C2另一端、所述電感L的另一端、所述電阻R1的一端連接，

所述運算放大器OP3的反向輸入端分別與所述電容C3的另一端、所述電阻R1的另一端和所述比較單元連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變換器，其特征在于，所述輸入單元包括二極管D1、MOS管M1、MOS管M2、電容C1和緩沖器Buffer；

所述緩沖器Buffer分別與所述MOS管M1的柵端和漏端、所述MOS管M2的柵端、所述處理單元、所述二極管D1的輸入端和輸入電源的正極連接；

所述MOS管M1的漏端與所述二極管D1的輸入端連接；所述MOS管M1的源端分別與所述MOS管M2的漏端、所述電容C1的另一端、所述電感L的一端連接；

所述二極管D1的輸出端分別與所述MOS管M3的漏端和柵端以及所述電容C1的一端連接；

所述MOS管M2的源端接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變換器，其特征在于，所述比較單元包括比較器COMP1和比較器COMP2；

所述比較器COMP1的輸出端與所述處理單元連接；所述比較器COMP1的正向輸入端與所述電阻R1的另一端連接；所述比較器COMP1的反向輸入端與比較電壓VFBH的輸入端連接；

所述比較器COMP2的輸出端與所述處理單元連接；所述比較器COMP1的反向輸入端與所述電阻R1的另一端連接；所述比較器COMP2的正向輸入端與比較電壓VFBL的輸入端連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變換器，其特征在于，所述MOS管M3、所述MOS管M4和所述MOS管M5以構(gòu)成鉗位兩管分裂串聯(lián)的方式連接，其中，所述MOS管M5為鉗位MOS管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變換器，其特征在于，所述MOS管M4的線性阻值處于V_DS4＜V_GS3-V_TH3的線性電阻區(qū)；其中，V_GS3為MOS管M3柵源間的電壓；V_DS4為MOS管M4漏源間的電壓；V_TH3為MOS管M3柵端的閾值電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變換器，其特征在于，所述MOS管M5的源端還通過輸出電容Cout接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變換器，其特征在于，所述運算放大器OP3的反向輸入端通過電阻R2接地。

8.一種如權(quán)利要求1-7任一項所述的增強瞬態(tài)特性的自適應遲滯控制變換器的控制方法，其特征在于，

當負載穩(wěn)定時，保持所述MOS管M4的線性阻值不變。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，

當負載從輕載轉(zhuǎn)重載時，降低所述MOS管M4的線性阻值。

10.一種設備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任意一項所述的增強瞬態(tài)特性的自適應遲滯控制變換器。