[發明專利]一種利用Locos生長氧化隔離層以及制備IGBT芯片的工藝在審
| 申請號： | 202010784138.0 | 申請日： | 2020-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN112086352A | 公開（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發明（設計）人： | 崔凱;李婷;戴豪 | 申請（專利權）人： | 北京爍科精微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/316 | 分類號： | H01L21/316;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 廖慧敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 locos 生長 氧化 隔離 以及 制備 igbt 芯片 工藝 | ||
1.一種利用Locos生長氧化隔離層的工藝，其特征在于，包括：
熱氧化層的形成：在晶圓中每個芯片中心部位形成氮化硅層，采用氧化工藝在氮化硅層以外的芯片邊緣生長出熱氧化層；
熱氧化層的厚度調節：采用研磨液對熱氧化層進行研磨或采用刻蝕工藝對熱氧化層進行刻蝕，使熱氧化層達到預期厚度；
去除氮化硅層，然后再進行晶圓的氧化層以及多晶硅的生長，最后進行平坦化的處理。
2.根據權利要求1所述的利用Locos生長氧化隔離層的工藝，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為400～1600A。
3.根據權利要求1或2所述的利用Locos生長氧化隔離層的工藝，其特征在于，所述熱氧化層的厚度調節的步驟中，研磨液為采用CeO2為研磨顆粒的研磨液，所述研磨時采用的研磨機構的轉速為70～120rpm，研磨壓力為2～4psi。
4.一種IGBT芯片的制備工藝，其特征在于，包括：
熱氧化層的形成：在晶圓中每個芯片中心部位形成氮化硅層，采用氧化工藝在氮化硅層以外的芯片邊緣生長出熱氧化層；
熱氧化層的厚度調節：采用研磨液對熱氧化層進行研磨或采用刻蝕工藝對熱氧化層進行刻蝕，使其厚度達到預期厚度；
溝道的形成：去除氮化硅層后再采用刻蝕工藝在顆粒中心部位形成溝道；
填充層的生長：采用爐管工藝進行多晶硅的生長填充；
平坦化處理：研磨去除表層多余多晶硅即可。
5.根據權利要求4所述的IGBT芯片的制備工藝，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為800～1600A。
6.根據權利要求4或5所述的IGBT芯片的制備工藝，其特征在于，所述熱氧化層的厚度調節的步驟中，研磨液為采用CeO2為研磨顆粒的研磨液，所述研磨時采用的研磨機構的轉速為70～120rpm，研磨壓力為2～4psi。
7.根據權利要求4-6任一所述的IGBT芯片的制備工藝，其特征在于，所述平坦化處理時，采用多晶硅研磨液，并利用多晶硅與SiO2高選擇比的特性結合電機扭矩的終點檢測方式去除多晶硅。
8.根據權利要求4-7任一所述的IGBT芯片的制備工藝，其特征在于，在采用多晶硅研磨液去除多晶硅后，還采用以SiO2為研磨顆粒的研磨液調節硅表面熱氧化層的厚度。
9.根據權利要求8所述的IGBT芯片的制備工藝，其特征在于，采用以SiO2為研磨顆粒的研磨液將硅表面熱氧化層的厚度調節至100～500A。
10.根據權利要求4-9任一所述的IGBT芯片的制備工藝，其特征在于，在熱氧化層的厚度調節的步驟中，熱氧化層的高度高于硅表面800～1800A。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
