[發(fā)明專利]OLED顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010783952.0
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN111986621B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 靳增建
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G09G3/3233
• 分類號: G09G3/3233
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

1.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括陣列設(shè)置的多個子像素和驅(qū)動所述子像素的像素驅(qū)動電路，至少一個所述像素驅(qū)動電路包括：

復(fù)位模塊，用于在第一掃描信號的控制下，將第一點的電位復(fù)位；

數(shù)據(jù)信號輸入模塊，通過所述第一點與所述復(fù)位模塊連接，用于在第二掃描信號的控制下，向所述第一點輸入數(shù)據(jù)信號；

存儲模塊，通過所述第一點與所述數(shù)據(jù)信號輸入模塊連接，通過第二點與電源高電位信號線連接，用于存儲所述數(shù)據(jù)信號的電壓；

發(fā)光器件，包括第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件；

驅(qū)動模塊，所述驅(qū)動模塊的第一輸入端與所述電源高電位信號線連接，第二輸入端與所述第一點連接，第三輸入端通過第三點與所述數(shù)據(jù)信號輸入模塊連接，第四輸入端通過第四點與所述數(shù)據(jù)信號輸入模塊連接，輸出端與所述發(fā)光器件連接；

其中，所述驅(qū)動模塊包括第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管和第七晶體管，所述第四晶體管和所述第六晶體管的柵極接入第一發(fā)光控制信號，所述第四晶體管的第一電極與所述電源高電位信號線連接，所述第四晶體管的第二電極與所述第五晶體管的第一電極連接于所述第三點，所述第五晶體管的柵極連接所述第一點，所述第五晶體管的第二電極與所述第六晶體管和所述第七晶體管的第一電極連接于所述第四點，僅所述第七晶體管的柵極接入第二發(fā)光控制信號，所述第六晶體管的第二電極與所述第一發(fā)光器件連接，所述第七晶體管的第二電極與所述第二發(fā)光器件連接，

在正常亮度模式下，所述第一發(fā)光控制信號和所述第二發(fā)光控制信號為導(dǎo)通電平，所述第四晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管、所述第七晶體管導(dǎo)通，所述第一發(fā)光器件和所述第二發(fā)光器件發(fā)光；在低亮度模式下，僅所述第一發(fā)光控制信號為導(dǎo)通電平，所述第四晶體管、所述第五晶體管和所述第六晶體管導(dǎo)通，僅所述第一發(fā)光器件發(fā)光；以及

所述OLED顯示面板還包括像素電極層和像素定義層，所述像素電極層圖案化形成多個像素電極，所述像素定義層圖案化形成多個開口區(qū)，所述開口區(qū)與所述像素電極對應(yīng)；在至少一個所述開口區(qū)內(nèi)，所述像素電極包括相互不接觸的第一子像素電極和第二子像素電極。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述復(fù)位模塊包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極接入所述第一掃描信號，所述第一晶體管的第一電極與初始化電壓線連接，所述第一晶體管的第二電極與所述第一點連接。

3.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)信號輸入模塊包括第二晶體管和第三晶體管，所述第二晶體管和所述第三晶體管的柵極接入所述第二掃描信號，所述第二晶體管的第一電極接入數(shù)據(jù)信號，所述第二晶體管的第二電極通過所述第三點與所述驅(qū)動模塊連接，所述第三晶體管的第一電極通過所述第四點與所述驅(qū)動模塊連接，所述第三晶體管的第二電極與所述第一點連接。

4.如權(quán)利要求3所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述存儲模塊包括存儲電容，所述存儲電容的第一極板與所述第一點連接，第二極板與所述電源高電位信號線連接。

5.如權(quán)利要求4所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第一發(fā)光器件和所述第二發(fā)光器件的公共電極與電源低電位信號線連接，所述第一發(fā)光器件的第一子像素電極與所述第六晶體管的第二電極連接，所述第二發(fā)光器件的第二子像素電極與所述第七晶體管的第二電極連接。

6.如權(quán)利要求5所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管。

7.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述OLED顯示面板包括：

基板；

晶體管層，形成在所述基板一側(cè)，對應(yīng)至少一個子像素，所述晶體管層包括所述第六晶體管和所述第七晶體管；

所述像素電極層形成在所述晶體管層遠離所述基板的一側(cè)；

所述像素定義層形成在所述晶體管層遠離所述基板的一側(cè)；

發(fā)光層，形成在所述開口區(qū)內(nèi)；

公共電極層，形成在所述發(fā)光層遠離所述像素電極層的一側(cè)；

其中，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極分別與所述第六晶體管和所述第七晶體管相連。