[發(fā)明專利]一種判斷半導(dǎo)體激光器芯片光學(xué)災(zāi)變類型的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010783751.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111934186B | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 任占強(qiáng);李波;李青民;王寶超;李喜榮;仇伯倉(cāng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安立芯光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01S5/00 | 分類號(hào): | H01S5/00 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人: | 鄭麗紅 |
| 地址: | 710077 陜西省西*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 判斷 半導(dǎo)體激光器 芯片 光學(xué) 災(zāi)變 類型 方法 | ||
1.一種判斷半導(dǎo)體激光器芯片光學(xué)災(zāi)變類型的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一、設(shè)置加載電流的上升步長(zhǎng)和最大值;
步驟二、在芯片測(cè)試過程中,根據(jù)步驟一確定的上升步長(zhǎng)和最大值,將加載電流加載在半導(dǎo)體激光器芯片上;
步驟三、采集半導(dǎo)體激光器芯片的電流-功率曲線、電流-電壓曲線;
步驟四、根據(jù)步驟三得到的電流-功率曲線、電流-電壓曲線,判斷半導(dǎo)體激光器芯片的失效類型;
若電流-功率曲線突然下降,同時(shí),電流-電壓曲線突然上升,則判斷芯片的光學(xué)災(zāi)變?yōu)榍幻婀鈱W(xué)災(zāi)變損傷;
若電流-功率曲線突然下降,同時(shí),電流-電壓曲線突然下降,則判斷芯片的光學(xué)災(zāi)變?yōu)轶w內(nèi)光學(xué)災(zāi)變損傷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中的判斷半導(dǎo)體激光器芯片光學(xué)災(zāi)變類型的方法,其特征在于:步驟一中,加載電流的上升步長(zhǎng)為0.1~1.0A,最大值為半導(dǎo)體激光器芯片額定電流的1.0倍~1.5倍。
3.一種判斷半導(dǎo)體激光器芯片光學(xué)災(zāi)變類型的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一、設(shè)置加載電流為恒定值;
步驟二、在芯片老化過程中,根據(jù)步驟一確定的恒定值,將加載電流加載在半導(dǎo)體激光器芯片上;
步驟三、采集半導(dǎo)體激光器芯片隨時(shí)間變化的時(shí)間-功率曲線、時(shí)間-電壓曲線;
步驟四、根據(jù)步驟三得到的時(shí)間-功率曲線、時(shí)間-電壓曲線,判斷半導(dǎo)體激光器芯片的失效類型;
若時(shí)間-功率曲線突然下降,同時(shí),時(shí)間-電壓曲線突然上升,則判斷芯片的光學(xué)災(zāi)變?yōu)榍幻婀鈱W(xué)災(zāi)變損傷;
若時(shí)間-功率曲線突然下降,同時(shí),時(shí)間-電壓曲線突然下降,則判斷芯片的光學(xué)災(zāi)變?yōu)轶w內(nèi)光學(xué)災(zāi)變損傷。
4.根據(jù)權(quán)利要求3中的判斷半導(dǎo)體激光器芯片光學(xué)災(zāi)變類型的方法,其特征在于:步驟一中,加載電流的恒定值為半導(dǎo)體激光器芯片的額定電流的1.0倍~1.5倍。
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