[發明專利]基于光子集成技術的真空漲落量子隨機數發生器芯片

在審

• 申請號: 202010783534.1
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN111708514A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 陳切春;楊志國
• 申請（專利權）人: 世融能量科技有限公司
• 主分類號: G06F7/58
• 分類號: G06F7/58;G06N10/00;G02B6/42;H01S5/026;H01S5/024
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 李冬梅

1.一種基于光子集成技術的真空漲落量子隨機數發生器芯片，其特征在于，所述真空漲落量子隨機數發生器芯片包括熱沉基板(1)、激光器(2)、分束器(3)、至少兩個光電探測器(4)，其中，所述激光器(2)固定在所述熱沉基板(1)的第一端，至少兩個所述光電探測器(4)固定在所述熱沉基板(1)的第二端，所述分束器(3)固定在所述熱沉基板(1)的中部，且所述激光器(2)的光線出口與所述分束器(3)的光路入口對齊設置，至少兩個所述光電探測器(4)分別位于所述分束器(3)的光路出口處。

2.如權利要求1所述的真空漲落量子隨機數發生器芯片，其特征在于，所述真空漲落量子隨機數發生器芯片還包括半導體制冷器(5)，所述半導體制冷器(5)固定在所述熱沉基板(1)的第一端，所述激光器(2)固定在所述半導體制冷器(5)上。

3.如權利要求1所述的真空漲落量子隨機數發生器芯片，其特征在于，所述真空漲落量子隨機數發生器芯片還包括透鏡(6)，所述透鏡(6)位于所述激光器(2)的光線出口與所述分束器(3)的光路入口之間。

4.如權利要求1所述的真空漲落量子隨機數發生器芯片，其特征在于，所述分束器(3)為Y波導分束器。

5.如權利要求1所述的真空漲落量子隨機數發生器芯片，其特征在于，所述分束器(3)的出射端為45°斜面結構。

6.如權利要求1所述的真空漲落量子隨機數發生器芯片，其特征在于，所述光電探測器(4)的數量與所述分束器(3)的出路端口數量相等。