[發明專利]氮化物半導體發光元件

在審

• 申請號: 202010783479.6
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN112349820A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 松倉勇介;稻津哲彥;希利爾·貝諾
• 申請（專利權）人: 日機裝株式會社
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/14
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 徐謙;劉寧軍

提供一種能夠提高發光輸出的氮化物半導體發光元件。氮化物半導體發光元件具備：活性層，其包含勢壘層；p型接觸層，其位于活性層的上側；以及電子阻擋層疊體，其位于活性層和p型接觸層之間，電子阻擋層疊體具備：第1電子阻擋層，其位于活性層側，具有比勢壘層的Al組分比大的Al組分比；以及第2電子阻擋層，其位于p型接觸層側，具有比勢壘層的Al組分比小的Al組分比。

技術領域

本發明涉及氮化物半導體發光元件。

背景技術

近年來，輸出紫外光的發光二極管、激光二極管等氮化物半導體發光元件已實用化，并在推進能提高發光輸出的氮化物半導體發光元件的開發(參照專利文獻1)。

專利文獻1所述的發光元件具備形成在III族氮化物單晶上并包括勢壘層和阱層的多量子阱層，且以使該勢壘層中的位于p型的III族氮化物層側的最終阻隔層的厚度為2nm至10nm，使該阱層的厚度分別為2nm以下的方式進行了調整。

現有技術文獻

專利文獻

【專利文獻1】特許第5641173號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，即使如專利文獻1所述的發光元件那樣實施了將最終阻隔層和阱層的膜厚最佳化的舉措，有時也無法得到足夠的發光強度，關于提高發光強度，仍有進一步改善的余地。

因此，本發明的目的在于，提供一種能夠提高發光輸出的氮化物半導體發光元件。

用于解決問題的方案

本發明以解決上述問題為目的，提供一種氮化物半導體發光元件，其具備：活性層，其包含勢壘層；p型接觸層，其位于上述活性層的上側；以及電子阻擋層疊體，其位于上述活性層和上述p型接觸層之間，上述電子阻擋層疊體具備：第1電子阻擋層，其位于上述活性層側，具有比上述勢壘層的Al組分比大的Al組分比；以及第2電子阻擋層，其位于上述p型接觸層側，具有比上述勢壘層的Al組分比小的Al組分比。

發明效果

根據本發明，能夠提供一種能夠提高發光輸出的氮化物半導體發光元件。

附圖說明

圖1是概略地示出本發明的第1實施方式所涉及的氮化物半導體發光元件的構成的一例的截面圖。

圖2是示意性地示出構成本發明的第1實施方式所涉及的氮化物半導體發光元件的半導體層的Al組分比的一例的圖。

圖3是概略地示出本發明的第2實施方式所涉及的氮化物半導體發光元件的構成的一例的截面圖。

圖4是示意性地示出構成本發明的第2實施方式所涉及的氮化物半導體發光元件的半導體層的Al組分比的一例的圖。

圖5是示意性地示出構成本發明的第3實施方式所涉及的氮化物半導體發光元件的半導體層的Al組分比的一例的圖。

圖6是示出本發明的實施方式所涉及的發光元件的發光輸出的測定結果的一例的圖。

附圖標記說明

1…氮化物半導體發光元件(發光元件)

11…基板

12…緩沖層

30…n型包覆層

30a…露出面