[發明專利]復合柔性高介電薄膜及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 202010782720.3 | 申請日： | 2020-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN112063085B | 公開（公告）日： | 2023-02-28 |
| 發明（設計）人： | 萬維;羅俊榮;歐陽躍軍;補淇;胡靜;向柏霖 | 申請（專利權）人： | 懷化學院 |
| 主分類號： | C08L29/04 | 分類號： | C08L29/04;C08L27/16;C08K9/02;C08K7/00;C08K3/14;C08K3/28;C08J5/18;H01G4/14 |
| 代理公司： | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 隆前進 |
| 地址： | 418000 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 復合 柔性 高介電 薄膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種復合柔性高介電薄膜，其特征在于，包括聚合物和分散在所述聚合物中的MXene納米材料；
以所述聚合物和所述MXene納米材料的總質量為基準，所述MXene納米材料的質量百分數為0.5％～20％；
所述MXene納米材料選自二維過渡金屬碳化物、二維過渡金屬氮化物和二維過渡金屬碳氮化物中的至少一種。
2.如權利要求1所述的復合柔性高介電薄膜，其特征在于，以所述聚合物和所述MXene納米材料的總質量為基準，所述MXene納米材料的質量百分數為1％～15％。
3.如權利要求1所述的復合柔性高介電薄膜，其特征在于，以所述聚合物和所述MXene納米材料的總質量為基準，所述MXene納米材料的質量百分數為2％～10％。
4.如權利要求1～3任一項所述的復合柔性高介電薄膜，其特征在于，所述聚合物為聚偏氟乙烯和聚乙烯醇中的至少一種。
5.如權利要求1～3任一項所述的復合柔性高介電薄膜，其特征在于，所述MXene納米材料選自Ti3C2Tx、Ti2CTx和Nb2CTx中的至少一種。
6.一種復合柔性高介電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
將MXene納米材料的懸浮液與聚合物溶液混合，得到復合懸浮液；
采用所述復合懸浮液制膜，得到復合柔性高介電薄膜；
其中，以所述聚合物和所述MXene納米材料的總質量為基準，所述MXene納米材料的質量百分數為0.5％～20％；所述MXene納米材料選自二維過渡金屬碳化物、二維過渡金屬氮化物和二維過渡金屬碳氮化物中的至少一種。
7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，在采用所述復合懸浮液制膜的步驟之前，還包括對所述復合懸浮液進行超聲脫泡的步驟。
8.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述聚合物溶液所用溶劑為聚合物的良溶劑；當所述聚合物為聚偏氟乙烯時，所用溶劑為N,N-二甲基甲酰胺；或當所述聚合物為聚乙烯醇時，所用溶劑為水。
9.如權利要求1～5任一項所述的復合柔性高介電薄膜或權利要求6～8任一項所述的制備方法制得的復合柔性高介電薄膜在制備電子器件中的應用。
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