[發(fā)明專利]一種納米銀合金修飾基底及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010782578.2 | 申請日： | 2020-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN111893526B | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 熊宇杰;龍冉;劉敬祥 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號： | C25D3/46 | 分類號： | C25D3/46;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 劉穎 |
| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 合金 修飾 基底 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種用于抗菌的納米銀合金修飾基底的制備方法，包括以下步驟：
S1、將銀源、合金化搭配金屬源和分散劑溶于溶劑中，得到混合溶液；所述銀源和合金化搭配金屬源均為水溶性物質(zhì)，所述分散劑選自葡萄糖和PVP中的一種或多種；所述溶劑為酸性水溶液；所述合金化搭配金屬源為鈀源；所述銀源為硝酸銀，所述溶劑為硝酸溶液；所述混合溶液中硝酸銀的濃度為0.5~5mM，所述硝酸的濃度為0.05~0.2M；所述分散劑的濃度為0.1~1mM；
S2、以導(dǎo)電基底作為陰極，以步驟S1所述混合溶液為電解液，施加電壓，以電沉積的方式使含銀納米顆粒沉積在導(dǎo)電基底表面，得到表面沉積含銀顆粒的基底；所述電沉積電壓為0.5~3V，所述電沉積時(shí)間為10~120s；所述導(dǎo)電基底為不銹鋼片；
S3、將步驟S2所述表面沉積含銀顆粒的基底在有保護(hù)氣條件下進(jìn)行煅燒，得到納米銀合金修飾基底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述導(dǎo)電基底在使用前，分別采用無水乙醇、丙酮、水各超聲清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述保護(hù)氣為氬氣和氫氣混合氣，氫氣所占體積比為1~10%，氣流速度為0.005~50升/分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述煅燒溫度為350~650℃，煅燒時(shí)間為0.5~3h。
5.一種納米銀合金修飾基底，由權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的制備方法制得。
6.如權(quán)利要求5所述的納米銀合金修飾基底在制備用于抗菌的含銀功能性產(chǎn)品中的應(yīng)用。
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