[發明專利]靜態隨機存取存儲器單元陣列

有效

• 申請號: 202010781720.1
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN111785721B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 黃俊憲;郭有策;王淑如
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H10B10/00
• 分類號: H10B10/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種靜態隨機存取存儲器(static?random-access?memory,SRAM)單元陣列，其特征在于，包含有：

多個鰭狀結構，位于基底上，該些鰭狀結構包含多個主動鰭狀結構以及多個剩下的犧牲鰭狀結構，且該些主動鰭狀結構以及該些剩下的犧牲鰭狀結構由多個絕緣結構圍繞，其中各通道晶體管(PG?FinFET)與對應的降壓晶體管(PD?FinFET)共享兩個該些主動鰭狀結構，在存儲器單元中各升壓晶體管(PU?FinFET)跨設單一該主動鰭狀結構，

其中該基底包含靜態隨機存取存儲器單元區，而該些靜態隨機存取存儲器單元位于該靜態隨機存取存儲器單元區中，以及邏輯區，其中在該靜態隨機存取存儲器單元區中的該些鰭狀結構的間距小于在該邏輯區中的該些鰭狀結構的間距的兩倍。

2.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器單元陣列，其中各該些存儲器單元包含兩個升壓晶體管、兩個通道晶體管以及兩個降壓晶體管。

3.如權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器單元陣列，還包含：

至少一該剩下的犧牲鰭狀結構設置于共享的該主動鰭狀結構與最接近共享的該主動鰭狀結構的其中一該兩個升壓晶體管(PU?FinFET)跨設的該兩個主動鰭狀結構之間。

4.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器單元陣列，還包含：

至少一該剩下的犧牲鰭狀結構設置于兩個相鄰的存儲器單元中的共享的該主動鰭狀結構之間。

5.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器單元陣列，其中該些絕緣結構位于該些主動鰭狀結構之間并覆蓋全部的該些剩下的犧牲鰭狀結構。

6.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器單元陣列，其中該些鰭狀結構的最大間距小于該些鰭狀結構的最小間距的兩倍。

7.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器單元陣列，其中在該靜態隨機存取存儲器單元區中的該些鰭狀結構的輪廓與在該邏輯區中的該些鰭狀結構的輪廓相同。