[發明專利]用于吹掃半導體處理室狹縫閥開口的裝置

在審

• 申請號: 202010781138.5
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN112117214A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 班亞·翁森納庫姆;彼得·科洛托夫
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張華

本發明涉及用于吹掃半導體處理室狹縫閥開口的裝置。提供了一種半導體處理室，其可以包括：延伸穿過室壁并具有限定開口的內通道表面的晶片傳送通道，包括限定插入件開口的插入件內表面的插入件，以及氣體入口。所述晶片傳送通道的至少部分地圍繞所述內通道表面延伸并從所述內通道表面向外偏移的第一凹陷表面、至少部分地圍繞所述插入件內表面延伸并從所述插入件內表面向外偏移的第一插入件外表面、以及在所述內通道表面和所述第一凹陷表面之間延伸的第一壁表面至少部分地限定流體連接到氣體入口的氣體分配通道，所述第一凹陷表面與所述第一插入件外表面分開第一距離，并且插入件前表面面向所述第一壁表面并與所述第一壁表面分開第一間隙距離。

本申請是申請號為201710112144.X、申請日為2017年2月28日、發明名稱為“用于吹掃半導體處理室狹縫閥開口的裝置”的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及半導體處理領域，更具體地涉及用于吹掃半導體處理室狹縫閥開口的裝置。

背景技術

一些半導體處理工具經由通道將晶片移入和移出處理室，該通道從處理室外部區域延伸穿過處理室壁到達處理室內部。這樣的通道可以在通道的端部上具有閘閥(即狹縫閥)，該閘閥可以打開以允許晶片穿過通道，并且可以封閉和/或密封(例如，壓力或流體密封)通道使得處理室的內部與處理室外部的區域隔離。

發明內容

在一個實施方式中，可以提供半導體處理室。所述半導體處理室可以包括：用于半導體處理的內部體積，至少部分地界定所述半導體處理室的外側和所述內部體積的室壁，以及氣體入口。所述半導體處理室還可以包括晶片傳送通道，所述晶片傳送通道沿著第一軸線從所述半導體處理室的所述外側延伸穿過所述室壁到達所述內部體積并且具有：內通道表面，其限定具有垂直于所述第一軸線的第一基本矩形橫截面的開口；第一凹陷表面，當沿著所述第一軸線觀察時其至少部分地圍繞所述內通道表面延伸并且從所述內通道表面向外偏移；以及第一壁表面，其在所述內通道表面和所述第一凹陷表面之間延伸。所述半導體處理室還可以包括插入件，所述插入件包括：插入件內表面，其限定具有垂直于所述第一軸線的第二基本矩形橫截面區域的插入件開口；第一插入件外表面，當沿著所述第一軸線觀察時其至少部分地圍繞所述插入件內表面并從所述插入件內表面向外偏移；以及插入件前表面，其面向所述第一壁表面。所述第一凹陷表面、所述第一插入件外表面和所述第一壁表面可以至少部分地限定氣體分配通道，所述氣體分配通道可以流體連接到所述氣體入口，所述第一凹陷表面可以與所述第一插入件外表面分開第一距離，并且所述插入件前表面可以與所述第一壁表面分開第一間隙距離。

在一個這樣的實施方式中，所述插入件還可以包括第二插入件外表面，當沿著所述第一軸線觀察時，所述第二插入件外表面至少部分地圍繞所述第一插入件外表面延伸并且從所述第一插入件外表面向外偏移。

在另外的這樣的實施方式中，所述第二插入件外表面可以靠近所述第一凹陷表面。

在另一個這樣的實施方式中，所述插入件還可以包括在所述第二插入件外表面和所述第一插入件外表面之間延伸的第二壁表面，并且所述氣體分配通道可以至少部分地由所述第二壁表面限定。

在一些另外的這樣的實施方式中，所述晶片傳送通道還可以包括第二凹陷表面，當沿著第一軸線觀察時，所述第二凹陷表面圍繞所述內通道表面延伸并且從所述第一凹陷表面向內偏移，所述晶片傳送通道還可以包括在所述第二凹陷表面和所述第一凹陷表面之間延伸的第三壁表面，并且所述氣體分配通道可以至少部分地由所述第三壁表面限定。

在一個這樣的實施方式中，所述晶片傳送通道還可以包括第二凹陷表面，當沿著第一軸線觀察時，所述第二凹陷表面圍繞所述內通道表面延伸并且從所述第一凹陷表面向內偏移。

在另外的這樣的實施方式中，所述第一插入件外表面可以靠近所述第二凹陷表面。