[發明專利]OTP存儲單元及OTP存儲陣列器件在審
| 申請號： | 202010780644.2 | 申請日： | 2020-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN111916137A | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發明（設計）人： | 李弦;賈宬;馮一飛;王志剛 | 申請（專利權）人： | 珠海創飛芯科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C17/16 | 分類號： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京元合聯合知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人： | 李非非 |
| 地址： | 519082 廣東省珠海*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | otp 存儲 單元 陣列 器件 | ||
1.一種OTP存儲單元，該OTP存儲單元包括：
襯底；
形成在所述襯底上的一個選擇MOS晶體管，該選擇MOS晶體管包括依次形成在所述襯底之上的第一柵氧化層和第一柵極，還包括在所述第一柵極兩側的所述襯底中分別形成的第一源區和第一漏區；
形成在所述襯底上的至少一個第一型存儲MOS晶體管，每一所述第一型存儲MOS晶體管的結構形成與所述第一源區串聯的兩個等效電容，所述兩個等效電容并聯。
2.根據權利要求1所述的OTP存儲單元，其中，該OTP存儲單元還包括：
形成在所述襯底上的至少一個第二型存儲MOS晶體管，每一所述第二型存儲MOS晶體管的結構形成與所述第一源區串聯的一個等效電容。
3.根據權利要求2所述的OTP存儲單元，其中，所述第一型存儲MOS晶體管和第二型存儲MOS晶體管包括：
依次形成在所述襯底之上的第二柵氧化層和第二柵極；
形成在所述第二柵氧化層下部的所述襯底中的摻雜區，所述摻雜區與所述第一源區短接。
4.根據權利要求3所述的OTP存儲單元，其中：
所述摻雜區與所述第一源區在所述襯底中集成在一起以形成短接；或
所述摻雜區與所述第一源區通過接觸線連接。
5.根據權利要求4所述的OTP存儲單元，其中：
所述摻雜區包括在所述第二柵極靠近所述第一柵極的一側的所述襯底中形成的第二漏區。
6.根據權利要求4所述的OTP存儲單元，其中：
所述摻雜區包括在所述第二柵極兩側的所述襯底中分別形成的第二源區和第二漏區；
所述第二源區和所述第二漏區通過短接線連接。
7.根據權利要求3所述的OTP存儲單元，其中，該OTP存儲單元還包括：
與所述第一柵極短接的字線、與所述第一漏區短接的位線以及與所述第二柵極短接的編程線。
8.根據權利要求2所述的OTP存儲單元，其中：
所述選擇MOS晶體管、所述第一型存儲MOS晶體管和所述第二型存儲MOS晶體管中任一或全部是鰭形場效應晶體管。
9.根據權利要求3所述的OTP存儲單元，其中：
所述第一柵極和所述第二柵極平行排列。
10.根據權利要求3所述的OTP存儲單元，其中：
所述第一柵氧化層的厚度大于所述第二柵氧化層。
11.一種OTP存儲陣列器件，該OTP存儲陣列器件包括：
至少一條縱向存儲單元隊列和至少一條橫向存儲單元隊列，其中每一所述縱向存儲單元陣列和所述橫向存儲單元陣列包括多個如權利要求1至10任一項所述的OTP存儲單元。
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