[發(fā)明專利]一種納米片狀氧化亞硅及其復(fù)合負(fù)極材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010780626.4 | 申請日： | 2020-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN111969196B | 公開（公告）日： | 2023-01-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王星明;王寧;楊娟玉;劉宇陽;桂濤;白雪;王武育;儲茂友;韓滄;段華英 | 申請（專利權(quán)）人： | 有研資源環(huán)境技術(shù)研究院（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01M4/48 | 分類號： | H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;C23C16/40;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人： | 劉秀青 |
| 地址： | 101407 北京市懷*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 片狀 氧化 及其 復(fù)合 負(fù)極 材料 | ||
1.一種納米片狀氧化亞硅的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
（1）以Si和SiO2為原料，采用氣相沉積法制備得到氧化亞硅塊體；
（2）氧化亞硅塊體采用萬能粉碎機(jī)進(jìn)行破碎；
（3）采用液相高能球磨法進(jìn)行處理，球磨介質(zhì)為無水乙醇，球磨轉(zhuǎn)速為200-500 rpm，球磨時間為6-56 h；
所述納米片狀氧化亞硅的化學(xué)式為SiOx，其中0.9x1.1；并且具有納米片狀顆粒形貌；所述納米片狀氧化亞硅由激光粒度儀測試的中位粒徑D50為100-1000nm，最大顆粒直徑D99.9＜1000nm；且最小顆粒直徑D0.1＞10 nm；所述納米片狀氧化亞硅由氮吸附測試的比表面積為50-150 m2/g；所述納米片狀氧化亞硅的顆粒平面方向的平均直徑為100-1000nm，顆粒厚度為10-50nm，并且顆粒平面方向的平均直徑與顆粒厚度的比值大于5。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米片狀氧化亞硅的制備方法，其特征在于，所述納米片狀氧化亞硅由激光粒度儀測試的中位粒徑D50為200-400nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米片狀氧化亞硅的制備方法，其特征在于，所述納米片狀氧化亞硅由氮吸附測試的比表面積為90-110 m2/g。
4.一種復(fù)合負(fù)極材料，其特征在于，包含權(quán)利要求1-3中任一項制備得到的納米片狀氧化亞硅及添加劑，其中納米片狀氧化亞硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%-50%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合負(fù)極材料，其特征在于，所述添加劑為石墨、無定型碳、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁中的一種或多種。
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